MachineU > 中国製品 > 照明と照明 > 照明アクセサリー > LEDドライバ

統合されるLMG3425R050RQZR Gan Mosfetの運転者のケイ素の運転者のGan Fetの運転者

仕様

型式番号 :

LMG3425R050RQZR

原産地 :

最小注文数量 :

支払い条件 :

T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン

納期 :

5-8の仕事日

包装の細部 :

元の工場

実用温度 :

-40°C | 125°C （TJ）

供給電圧 :

7.5 V | 18ボルト

上昇時間 :

2.5 ns

落下時間 :

21 ns

構成 :

非逆になること

製品タイプ :

ゲートの運転者

記述

統合された運転者が付いているケイ素の運転者LMG3425R050RQZRのゲートの運転者のGaN FET

記述

LMG3425R050RQZRは150 V/nsに転換をスピードをあげる可能にするケイ素の運転者を統合する。チタニウムの分離したケイ素ゲートの運転者と比較されるより高い切換えSOAの統合された精密ゲートバイアス結果。チタニウムのlow-inductanceパッケージと結合されるこの統合はハード切換えの電源の地勢学できれいな切換えそして最低に鳴ることを提供する。調節可能なゲートドライブ強さは20 V/nsからの積極的にEMIを制御し、切換えの性能を最大限に活用するのに使用することができる150 V/nsにスルー・レートの制御を可能にする。LMG3425R050は適応性がある死時間制御を可能にすることによって三番目の象限儀の損失を減らす理想的なダイオードモードを含んでいる。

指定

実用温度:	-40°C \| 125°C （TJ）	供給電圧:	7.5 V \| 18ボルト
上昇時間:	2.5 Ns	落下時間:	21 Ns
構成:	非逆になること	製品タイプ:	ゲートの運転者

特徴
ハード切換えの地勢学のJEDEC JEP180のために修飾される
統合されたゲートの運転者が付いている600-V GaN Si FET
統合された高精度のゲートバイアス電圧
200-V/ns CMTI
3.6MHz転換の頻度
20-V/nsへの150-V/nsは性能およびEMIの軽減の転換の最適化のためのスルー・レートを
7.5-Vから18-V供給に作動する
強い保護
抵抗720-Vのサージの間のハード切換えの周期によ周期の < 100-ns="" response=""> 過電流そして掛け金を降ろされたshortcircuitの保護
内部温度過昇およびUVLOの監視からの自己防衛
高度力管理
デジタル温度PWMは出力した
理想的なダイオードモードはLMG3425R050の三番目の象限儀の損失を減らす

FAQ
Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

このサプライヤーにメッセージを送信します

メッセージ*

メール*

電話やWhatsApp*

名前

会社

24時間以内に返信してください.

確認したサプライヤーの対応サービスがほしい

今送れ

提出が成功しました!

統合されるLMG3425R050RQZR Gan Mosfetの運転者のケイ素の運転者のGan Fetの運転者

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier

3 年数

shenzhen

事業形態 :

ディストリビューター/卸し業者

主な製品 :

, ,

年間総額 :

1000000-2000000

従業員数 :

20~50

認証レベル :

Verified Supplier

似た商品を探す

TP65H035G4YS GaN IC 650V ガリウムナイトリッド FET 35mOhm スーパーガーン FET GaN FETs

今連絡してください
TP65H480G4JSG GaN IC 650V SuperGaN FET 480mOhm ガリウムナイトライド FETs PQFN56

今連絡してください
TP65H300G4LSG GaN IC ガリウムナイトリッド FET PQFN88 GaN FETs 650V スーパーガーン FETs

今連絡してください
TP65H050G4QS GaN IC 650V 50mOhm SuperGaN ガリウムナイトライド FET TOLLパッケージ

今連絡してください
TP65H150BG4JSG GaN IC 650V ガリウムナイトリッド FET 150mOhm スーパーガーン FET PQFN56

今連絡してください
TP65H070G4RS GaN IC SuperGaN FET 650V 72mOhm GaN パワーはGaN FETを分離する

今連絡してください
TP65H070G4PS GaN IC 650V 70mOhm SuperGaN FET TO-220-3 ガリウムナイトライド FET

今連絡してください
TP65H050G4WS GaN IC GaN FETs 650V GaN パワーディスクリート TO-247-3 スーパーガン FET

今連絡してください
TP65H050G4BS GaN IC GaN パワーディスクリート 650V SuperGaN ガリウムナイトライド FET

今連絡してください
TP65H035G4WSQA GaN IC 650V 35mOhm ガリウムナイトライド FET TO-247-3 スーパーガーン FET

今連絡してください

類別別で類似した商品を検索:

供給者のホームページ製品

MachineU 中国製品照明と照明照明アクセサリー LEDドライバ

統合されるLMG3425R050RQZR Gan Mosfetの運転者のケイ素の運転者のGan Fetの運転者

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

TP65H035G4YS GaN IC 650V ガリウムナイトリッド FET 35mOhm スーパーガーン FET GaN FETs

TP65H480G4JSG GaN IC 650V SuperGaN FET 480mOhm ガリウムナイトライド FETs PQFN56

TP65H300G4LSG GaN IC ガリウムナイトリッド FET PQFN88 GaN FETs 650V スーパーガーン FETs

TP65H050G4QS GaN IC 650V 50mOhm SuperGaN ガリウムナイトライド FET TOLLパッケージ

TP65H150BG4JSG GaN IC 650V ガリウムナイトリッド FET 150mOhm スーパーガーン FET PQFN56

TP65H070G4RS GaN IC SuperGaN FET 650V 72mOhm GaN パワーはGaN FETを分離する

TP65H070G4PS GaN IC 650V 70mOhm SuperGaN FET TO-220-3 ガリウムナイトライド FET

TP65H050G4WS GaN IC GaN FETs 650V GaN パワー ディスクリート TO-247-3 スーパーガン FET

TP65H050G4BS GaN IC GaN パワー ディスクリート 650V SuperGaN ガリウムナイトライド FET

TP65H035G4WSQA GaN IC 650V 35mOhm ガリウムナイトライド FET TO-247-3 スーパーガーン FET

類別別で類似した商品を検索:

TP65H050G4WS GaN IC GaN FETs 650V GaN パワーディスクリート TO-247-3 スーパーガン FET

TP65H050G4BS GaN IC GaN パワーディスクリート 650V SuperGaN ガリウムナイトライド FET