仕様
型式番号 :
CY7C1312KV18-300BZXC
原産地 :
CN
最小注文数量 :
10
支払い条件 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
納期 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
FBGA165
部品番号 :
CY7C1312KV18-300BZXC
メモリー容量 :
18メガビット
組織 :
1M×18
最大クロック周波数 :
300MHz
供給電圧 - 最大 :
1.9V
供給電圧 - 最小 :
1.7V
記述

メモリ IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V 同期パイプライン SRAM CY7C1312 FBGA165

製品説明

CY7C1312KV18-300BZXC は、QDR II アーキテクチャを搭載した 1.8 V 同期パイプライン SRAM です。QDR II アーキテクチャは、メモリ アレイにアクセスするための読み出しポートと書き込みポートの 2 つの別個のポートで構成されます。読み出しポートには読み出し操作をサポートする専用のデータ出力があり、書き込みポートには書き込み操作をサポートする専用のデータ入力があります。QDR II アーキテクチャには、データ入力とデータ出力が分離されているため、一般的な I/O デバイスに存在するデータ バスを「ターンアラウンド」する必要が完全になくなります。各ポートへのアクセスは、共通のアドレス バスを介して行われます。読み取りアドレスと書き込みアドレスのアドレスは、入力 (K) クロックの交互の立ち上がりエッジでラッチされます。

CY7C1312KV18-300BZXC の仕様

メモリータイプ
揮発性
メモリーフォーマット
SRAM
テクノロジー
SRAM - 同期、QDR II
メモリー容量
18Mb (1M×18)
メモリ インターフェイス
平行
クロック周波数
300MHz
電圧 - 供給
1.7V~1.9V
動作温度
0℃~70℃(TA)
取付タイプ
表面実装
パッケージ・ケース
165-LBGA
サプライヤー デバイス パッケージ
165-FBGA (13x15)


論理ブロック図

記憶IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V同期導管で送られたSRAMs CY7C1312 FBGA165

特徴

  • 個別の独立した読み取りおよび書き込みデータ ポート
  • 同時トランザクションをサポート
  • 高帯域幅用の 333 MHz クロック
  • すべてのアクセスで 2 ワード バースト
  • 333 MHz での読み取りポートと書き込みポートの両方でのダブル データ レート (DDR) インターフェイス (666 MHz で転送されるデータ)
  • 正確な DDR タイミングのための 2 つの入力クロック (K および K)
  • SRAM は立ち上がりエッジのみを使用
  • 単一の多重化アドレス入力バスは、読み取りポートと書き込みポートの両方のアドレス入力をラッチします
  • コア VDD = 1.8 V (±0.1 V);I/O VDDQ = 1.4 V ~ VDD
  • 1.5 V と 1.8 VI/O 電源の両方をサポート
  • 165 ボール FBGA パッケージ (13 × 15 × 1.4 mm) で入手可能

製品写真

記憶IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V同期導管で送られたSRAMs CY7C1312 FBGA165

よくある質問
Q. オリジナル商品ですか?
A:はい、すべての製品はオリジナルです。新しいオリジナルの輸入が私たちの目的です。
Q:どの証明書がありますか?
A:私たちは ISO 9001:2015 認定企業であり、ERAI のメンバーです。
Q:少量の注文またはサンプルをサポートできますか?サンプルは無料ですか?
A:はい、サンプル注文と少量注文をサポートしています。サンプル費用は、注文またはプロジェクトによって異なります。
Q: どのように私の注文?安全ですか?
A:DHL、Fedex、UPS、TNT、EMSなどのエクスプレスを使用して発送します。提案されたフォワーダーも使用できます。
Q: リードタイムはどうですか?
A: 在庫部品は 5 営業日以内に発送できます。在庫がない場合は、ご注文数量に基づいてリードタイムを確認します。

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原産地 :
CN
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納期 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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4 年数
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事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-2000000
従業員数 :
20~50
認証レベル :
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