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ICは穴TO-247-4Lを通してMOSFETs NTH4L022N120M3SのN-Channel 1200V 68A 352Wを欠く
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仕様
型式番号 :
NTH4L022N120M3S
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
TO-247-4
部品番号 :
NTH4L022N120M3S
様式の取付け :
穴を通して
チャネルの数 :
1つのチャネル
Rdsのオン下水管源の抵抗 :
30ミリオーム
Vgs -ゲート源の電圧 :
- 10ボルト、+ 22ボルト
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧 :
4.4 V
記述

ICは穴TO-247-4Lを通してMOSFETs NTH4L022N120M3SのN-Channel 1200V 68A 352Wを欠く

 

NTH4L022N120M3Sの製品の説明

NTH4L022N120M3Sの炭化ケイ素（SiC）のMOSFETsは1200V M3S平面SiCのMOSFETsの系列である。NTH4L022N120M3Sは早く切換えの適用のために最大限に活用される。平面の技術は否定的なゲートの電圧ドライブを確実に使用し、ゲートのスパイクを消す。これらのMOSFETsは15Vゲート ドライブと18Vゲートのドライブまた仕事とよく運転されたとき最適性能を特色にする。

 

NTH4L022N120M3Sの指定

部品番号: NTH4L022N120M3S FETのタイプ: N-Channel
源の電圧（Vdss）に流出させなさい: 1200V 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: 68A （Tc）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: 18V Vgs （（最高） Th） @ ID: 4.4V @ 20mA

 

NTH4L022N120M3Sの特徴

  • タイプ。RDS （） = 22のm @ VGS = 18ボルト
  • 低い転換の損失（タイプ。40 A、V） 800の永劫490 J
  • 100%のなだれはテストした
  • 免除7aと迎合的なこの装置はHalide自由およびRoHSである
  • Pb−Free 2LI （第2水平な相互連結で）

 

NTH4L022N120M3Sの典型的な適用

  • 太陽インバーター
  • 電気自動車の充電ステーション
  • UPS （無停電電源装置）
  • エネルギー蓄積 システム
  • SMPS （スイッチ モード電源）

 

NTH4L022N120M3Sのブロック ダイヤグラム

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NTH4L022N120M3Sの示す図表

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他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ
PIC16LF873AT QFN
CGY1047 TO-59
IRFB4110GPBF TO-220
UCC28810DR SOP8
MAX8903AETI QFN28

LT1618EDD

 DFN10

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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製品詳細
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NTH4L022N120M3S
原産地 :
CN
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10
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受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
TO-247-4
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 年数
shenzhen
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
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年間総額 :
1000000-2000000
従業員数 :
20~50
認証レベル :
Verified Supplier
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