仕様
型式番号 :
S70KS1282GABHV020
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
24-FBGA
部品番号 :
S70KS1282GABHV020
最高供給の流れ- :
60 mA
アクセス時間 :
35 ns
構成 :
16のM X 8
最高のクロック周波数 :
200 MHz
マウントスタイル :
SMD/SMT
記述

集積回路の破片S70KS1282GABHV020 128Mbit PSRAMのメモリー チップ24-FBGA

 

S70KS1282GABHV020の製品の説明

S70KS1282GABHV020 128Mb HYPERRAM™は2つの64のMbのダイスを使用して積み重ねダイスの破片である。1つだけは一度にことができるプログラムする雑種の休眠モードか深い力モードに入るために死ぬ。

 

S70KS1282GABHV020の指定

部品番号 S70KS1282GABHV020
技術
PSRAM (擬似SRAM)
記憶容量
128Mbit
記憶構成
16M x 8
記憶インターフェイス
HyperBus
クロック周波数
200のMHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい
35ns
アクセス時間
35 ns
電圧-供給
1.7V | 2V
実用温度
-40°C | 105°C (TA)


S70KS1282GABHV020の特徴

  • 破烈は読むか、または書く(200のMHz、V) 1.8の線形破烈:50 mA
  • スタンバイ(CS# = VCCの= 3.6ボルト、105°C):750 µA
  • 深い力(CS# = VCCの= 3.6ボルト、105°C):360 µA
  • 入力はの間のトランザクションを同様に書くデータ マスク書く
  • 任意DDRは中心一直線に並べた読まれたストロボ(DCARS)を

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
S29PL032J55BFI12 BGA48
W972GG8KB25I BGA
CSD97396Q4M VSON8
CR1510-06 SOP-7
DS34T104GN BGA484
AD8475ARMZ MSOP10

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

 
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S70KS1282GABHV020集積回路の破片128Mbit PSRAMのメモリー チップ24-FBGA

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型式番号 :
S70KS1282GABHV020
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
24-FBGA
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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4 年数
shenzhen
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-2000000
従業員数 :
20~50
認証レベル :
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