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IMBG65R039M1HのN-Channel 650VのMOSFETsのトランジスターSiCの堀力装置
IMBG65R039M1HのN-Channel 650VのMOSFETsのトランジスターSiCの堀力装置
仕様
型式番号 :
IMBG65R039M1H
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
TO-263-8
部品番号 :
IMBG65R039M1H
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :
54A （Tc）
（最高） @ ID、VgsのRds :
51mOhm @ 25A、18V
Vgs -ゲート源の電圧 :
- 5ボルト、+ 23ボルト
製品タイプ :
MOSFET
プロダクト状態 :
活動的
記述

IMBG65R039M1HのN-Channel 650VのMOSFETsのトランジスターSiCの堀力装置

 

IMBG65R039M1Hの製品の説明

IMBG65R039M1H GaN強化モード力トランジスターは脱熱器なしで密集した装置を要求する適用のために理想的なThinPAK 5x6の表面台紙のパッケージで利用できる。

 

IMBG65R039M1Hの指定

部品番号

IMBG65R039M1H

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs

41 NC @ 18ボルト

Vgs （最高）

+23V、-5V

入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds

1393 pF @ 400ボルト

 

IMBG65R039M1Hの特徴

  • 温度のRs （）および脈拍のより低い現在の依存

  • 高められたなだれの機能

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

XC7K160T-1FB484I

BGA

XC7K160T-1FB676I

BGA

XC7K160T-2FB484I

BGA

XC7K160T-L2FBG676E

BGA

XC7K160T-2FBG676C

BGA

XC7K160T-L2FFG676I

BGA


FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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IMBG65R039M1HのN-Channel 650VのMOSFETsのトランジスターSiCの堀力装置

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製品詳細
型式番号 :
IMBG65R039M1H
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
TO-263-8
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IMBG65R039M1HのN-Channel 650VのMOSFETsのトランジスターSiCの堀力装置

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-2000000
従業員数 :
20~50
認証レベル :
Verified Supplier
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