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1200V SiCの堀MOSFET IMBG120R045M1HのN-Channel MOSFETのトランジスターTO-263-8
1200V SiCの堀MOSFET IMBG120R045M1HのN-Channel MOSFETのトランジスターTO-263-8
仕様
型式番号 :
IMBG120R045M1H
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
TO-263-8
部品番号 :
IMBG120R045M1H
短絡の抵抗の時間 :
3つのµs
Turn-offゲートの電圧 :
0V
Qg -ゲート充満 :
46 NC
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧 :
5.7V
基準のゲートの境界の電圧 :
VGS （Th） = 4.5V
記述

1200V SiCの堀MOSFET IMBG120R045M1HのN-Channel MOSFETのトランジスターTO-263-8

 

IMBG120R045M1Hの製品の説明

IMBG120R045M1Hは.XTの相互連結の技術のCoolSiC™ 1200V SiCの堀MOSFETである。

 

IMBG120R045M1Hの指定

部品番号: IMBG120R045M1H
SiC
SMD/SMT
TO-247-7
1.2 kV
47 A
45のmOhms
- 7ボルト、+ 23ボルト

 

IMBG120R045M1Hの特徴

  • 短絡は時間3のµsに抗する
  • 十分に制御可能なdV/dt
  • 基準のゲートの境界の電圧、VGS （Th） = 4.5V
  • 寄生に対して強い、turn-offゲートの電圧が適用することができる0Vつけなさい
  • 堅い代わりのための強いボディ ダイオード

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
MC44CC373CAEFR2 SOP16
HMC939LP4E QFN
AM79C984AJC PLCC84
RE46C141SW16TF SOP16
BSC190N15NS3G TDSON-8
UC2637DWTR SOP20


FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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1200V SiCの堀MOSFET IMBG120R045M1HのN-Channel MOSFETのトランジスターTO-263-8

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製品詳細
型式番号 :
IMBG120R045M1H
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
TO-263-8
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-2000000
従業員数 :
20~50
認証レベル :
Verified Supplier
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