仕様
型式番号 :
MSC017SMA120B
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
TO-247-3
部品番号 :
MSC017SMA120B
タイプの取付け :
穴を通して
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds :
5280 pF @ 1000ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C :
113A (Tc)
FETのタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (炭化ケイ素)
記述

集積回路の破片MSC017SMA120Bの炭化ケイ素のN-Channel力MOSFET TO-247-3

 

MSC017SMA120Bの製品の説明

MSC017SMA120Bは高圧適用のための所有権の総額を下げている間炭化ケイ素(SiC)力MOSFET、性能のoversilicon MOSFETおよびケイ素IGBTの解決である。

 

MSC017SMA120Bの指定

部品番号 MSC017SMA120B
技術
SiCFET (炭化ケイ素)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
20V
(最高) @ ID、VgsのRds
22mOhm @ 40A、20V
Vgs ((最高) Th) @ ID
2.7V @ 4.5mA (タイプ)
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
249 NC @ 20ボルト


MSC017SMA120Bのパッケージの外形図

集積回路の破片MSC017SMA120Bの炭化ケイ素のN-Channel力MOSFET TO-247-3

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
NFM55PC155F1H4L SMD
CDCE72010RGCT VQFN64
DAC8541Y TQFP32
CC3120RNMARGKR VQFN64
LT6205HS5 SOT23-5
LM4876MM MSOP10

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

 
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集積回路の破片MSC017SMA120Bの炭化ケイ素のN-Channel力MOSFET TO-247-3

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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3 年数
shenzhen
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-2000000
従業員数 :
20~50
認証レベル :
Verified Supplier
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