仕様
型式番号 :
F415MR12W2M1B76BOMA1
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
モジュール
部品番号 :
F415MR12W2M1B76BOMA1
下水管源の電圧(Tvj = 25°C) :
1200V
ゲート源の電圧 :
-10 V/20ボルト
IDのnom :
200A
構成 :
2 N-Channel (二重)
転換の条件の下の温度 :
-40°C | 150°C
記述

自動車IGBTモジュールF415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC MOSFETモジュール


F415MR12W2M1B76BOMA1の製品の説明

F415MR12W2M1B76BOMA1はCoolSiC™ MOSFETが付いている1200ボルト、15のmΩのfourpackモジュール、NTCおよびPressFIT接触の技術である。


F415MR12W2M1B76BOMA1の指定

部品番号 F415MR12W2M1B76BOMA1
技術
炭化ケイ素(SiC)
構成
4 N-Channel (半分橋)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
1200V (1.2kV)
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
75A (Tj)
(最高) @ ID、VgsのRds
15mOhm @ 75A、15V
Vgs ((最高) Th) @ ID
5.55V @ 30mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
186nC @ 15V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
5520pF @ 800V
実用温度
-40°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
シャーシの台紙
パッケージ/場合
モジュール
製造者装置パッケージ
AG-EASY1B-2

 

F415MR12W2M1B76BOMA1の特徴

  • 優秀なゲート酸化物の信頼性
  • 出力密度およびコンパクト デザイン
  • 速いDC充満のための最大限に活用された性能
  • 二方向エネルギー流れを可能にする

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
S29CL016J0MQFM030 QFP
K5D1257ACF-D090 BGA
QFE3335 BGA
QFE3345 BGA
RFRX8888SR QFN
TPCC8062-H.L1Q TSON

 

FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する

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自動車IGBTモジュールF415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC MOSFETモジュール

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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3 年数
shenzhen
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-2000000
従業員数 :
20~50
認証レベル :
Verified Supplier
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