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SICの集積回路の破片SCT020H120G3AG広いBandgapのトランジスター100A SiC MOSFETs
SICの集積回路の破片SCT020H120G3AG広いBandgapのトランジスター100A SiC MOSFETs
仕様
型式番号 :
SCT020H120G3AG
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
H2PAK-7
部品番号 :
SCT020H120G3AG
全体の電力損失のTC = 25 °C :
555 W
下水管の流れ（脈打つ） :
281 A
現在を（連続的）でTC = 100 °C流出させなさい :
70 A
熱抵抗、接続点に場合 :
0.27 °C/W
ゲート源の一時的な電圧、TP < 1 μs、tの≤寿命にわたる10時間 :
-11Vへの25V
記述

SICの集積回路の破片SCT020H120G3AG広いBandgapのトランジスター100A SiC MOSFETs

 

SCT020H120G3AGの製品の説明

SCT020H120G3AG SiCのMOSFETs - 100A広いBandgapのトランジスターは、頻度、エネルギー効率、システムの大きさおよび重量の軽減の適用性能を改善する。

 

SCT020H120G3AGの指定

部品番号: SCT020H120G3AG RDSの（）タイプ: 18.5 MΩ
静的な下水管源のオン抵抗の（VGS = 18ボルト、ID = 50 A）タイプ: 18.5mΩ 静的な下水管源のオン抵抗（VGS = 18ボルト、ID =最高50 A）: 28mΩ
ゲートは入力抵抗の（F = 1MHz、ID = 0A）タイプを: 1.5Ω パッケージ: H2PAK-7

 

SCT020H120G3AGの全体の電力損失

SICの集積回路の破片SCT020H120G3AG広いBandgapのトランジスター100A SiC MOSFETs

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
IRFB3004 TO-220
IRFB3607 TO-220
IRFB4321 TO-220
IRFH5020 DFN5*6
IRFH5207 DFN5*6
IRFH8337 DFN5x6

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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SICの集積回路の破片SCT020H120G3AG広いBandgapのトランジスター100A SiC MOSFETs

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製品詳細
型式番号 :
SCT020H120G3AG
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
H2PAK-7
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-2000000
従業員数 :
20~50
認証レベル :
Verified Supplier
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