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1200V 175A単一のIGBTs IXYH55N120A4の分離した半導体のトランジスター
1200V 175A単一のIGBTs IXYH55N120A4の分離した半導体のトランジスター
仕様
型式番号 :
IXYH55N120A4
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
TO-247-3
部品番号 :
IXYH55N120A4
IGBTのタイプ :
PT
プロダクト状態 :
活動的
転換エネルギー :
2.3mJ （）、5.3mJ （）
ゲート充満 :
110 NC
タイプの取付け :
穴を通して
記述

1200V 175A単一のIGBTs IXYH55N120A4の分離した半導体のトランジスター

 

IXYH55N120A4の製品の説明

IXYH55N120A4に正方形の逆バイアスの安全運転区域およびそれらを揺れ止めなしのハード切換えの適用にとって理想的にさせる650V絶縁破壊電圧がある。

 

IXYH55N120A4の指定

部品番号

IXYH55N120A4

テスト条件

600V、40A、5Ohm、15V

逆の回復時間（trr）

35 ns

実用温度

-55°C | 175°C （TJ）

タイプの取付け

穴を通して

 

IXYH55N120A4の特徴

  • 高いサージ電流の機能

  • 正方形の逆バイアスの安全運転区域

  • VCEの肯定的な熱係数（坐った）

  • 低いゲート ドライブ条件

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

NCP1607BDR2G

SOIC-8

TPS78218DRVR

WSON-6

ACMD-6003

QFN

BGU8052

8-WFDFN

TQP9418

QFN

HMC546LP2E

DFN56

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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1200V 175A単一のIGBTs IXYH55N120A4の分離した半導体のトランジスター

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製品詳細
型式番号 :
IXYH55N120A4
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
TO-247-3
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1200V 175A単一のIGBTs IXYH55N120A4の分離した半導体のトランジスター

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-2000000
従業員数 :
20~50
認証レベル :
Verified Supplier
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