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集積回路の破片NVMTS0D7N04CTXG MOSFET –力の単一のN-Channel 40 V 0.67m 420A
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集積回路の破片NVMTS0D7N04CTXG MOSFET –力の単一のN-Channel 40 V 0.67m 420A
仕様
型式番号 :
NVMTS0D7N04CTXG
原産地 :
CN
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
8-DFNW
部品番号 :
NVMTS0D7N04CTXG
製品カテゴリ :
MOSFET
（最高） @ ID、VgsのRds :
0.67mOhm @ 50A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID :
4V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :
140 NC @ 10ボルト
Vgs （最高） :
±20V
記述

集積回路の破片NVMTS0D7N04CTXG MOSFET –力の単一のN-Channel 40 V 0.67m 420A

 

NVMTS0D7N04CTXGの製品の説明

NVMTS0D7N04CTXGのN-Channel MVのMOSFETsは30V、40Vであり、60V MOSFETsは保護されたゲートの技術を組み込む高度力の堀プロセスを使用して作り出した。このプロセスはオン州の抵抗を最小にするために今までのところではクラス柔らかいボディ ダイオードのベストの優秀な転換の性能を維持するために最大限に活用された。

 

NVMTS0D7N04CTXGの指定

部品番号: NVMTS0D7N04CTXG
N-Channel
1つのチャネル
40ボルト
433 A
630のuOhms
- 20ボルト、+ 20ボルト
1ボルト
205 NC
- 55 C
+ 175 C
205 W

 

NVMTS0D7N04CTXGの特徴

  • コンパクト デザインのための小さい足跡（8x8 mm）
  • 伝導の損失を最小にする低いRDS （）
  • 運転者の損失を最小にする低いQGおよびキャパシタンス
  • 業界標準力88のパッケージ
  • AEC−Q101は可能なPPAP修飾し、
  • 水和性の高められた光学点検のためのフランクによってめっきされる選択
  • これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである

 

NVMTS0D7N04CTXGのマーカーの図表

集積回路の破片NVMTS0D7N04CTXG MOSFET –力の単一のN-Channel 40 V 0.67m 420A

 

他の供給の製品タイプ

部品番号 パッケージ
HLMP-Q106 LED
DS2430AP TSOC-6
A0005HIA1UK BGA
ADN2530YCPZ LFCSP-16
ADV7392BCPZ QFN40
EP3C5F256C8N FBGA256

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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集積回路の破片NVMTS0D7N04CTXG MOSFET –力の単一のN-Channel 40 V 0.67m 420A

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製品詳細
型式番号 :
NVMTS0D7N04CTXG
原産地 :
CN
MOQ :
10
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受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
8-DFNW
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 年数
shenzhen
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-2000000
従業員数 :
20~50
認証レベル :
Verified Supplier
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