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Ferroelectric薄膜高いTcの超伝導体のためのアーク溶ける方法MgOのウエファー
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仕様
型式番号 :
MS
原産地 :
中国
MOQ :
1部分
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間 :
3仕事日
包装の細部 :
全体的な船積みのための強い木箱
適用 :
高いTcの超伝導体 マイクロエレクトロニクス装置光電子工学装置 マイクロウェーブ装置
直径 :
Øの1"/Ø 2"
厚さ :
0.5 mm/1つのmm
等級 :
生産の等級/研究の等級
記述

 

ferroelectric薄膜、高いTcの超伝導体を作るためのアーク溶ける方法によって作り出されるMgOのウエファー

 

私達はferroelectric薄膜、高いTcの超伝導体を作るために、また最高の直径の光電子工学の適用にアーク溶ける方法によって作り出される良質の単結晶MgOのウエファーを2インチまで提供する。MgOのウエファーは円形で製造することができるまたは半平らののまたは平たい箱、磨かれている1つの側面または、10 x10 mmからの2"へのサイズのない正方形の形は、磨かれている、双方0.4、0.5、1つから2つのmmの表面からの厚さの範囲低い表面の粗さと磨かれるepiである。私達にさまざまなオリエンテーション<100>、<110>および<111>の対の自由な、ディフェクト フリーMgOの基質があり、高精度の表面の終わりは、より多くの製品に関する情報のための私達に連絡する。

 

MgOのウエファーの塗布

 

高いTcの超伝導体 マイクロエレクトロニクス装置
光電子工学装置 マイクロウェーブ装置

 

MgOのウエファーの特性

 

化学式 MgO
結晶構造 立方
一定したに格子をつけなさい 4.212 A
比誘電率 9.8
熱拡張 12.8
密度 3.58

製品仕様書

 

成長 アークの融合
直径 Øの1"/Ø 2"
サイズ 10 x 10/20 x 20/30 x 30/40 x 40のmm
厚さ 0.5 mm/1つのmm
オリエンテーション <100>/<110>/<111>
表面 磨かれる/磨かれる双方1つの側面
TTV <= 10 um
荒さ RAの<= 10 A
パッケージ 単一のウエファーの容器
 
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Ferroelectric薄膜高いTcの超伝導体のためのアーク溶ける方法MgOのウエファー

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製品詳細
型式番号 :
MS
原産地 :
中国
MOQ :
1部分
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間 :
3仕事日
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 年数
henan, zhengzhou
ありがとうございました 2007
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
主な製品 :
, ,
年間総額 :
5000000-8000000
従業員数 :
50~100
認証レベル :
Active Member
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