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単結晶LD LEDのマイクロウェーブ回路のための多結晶性GaAsのウエファーのガリウム砒素
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仕様
型式番号 :
MS
原産地 :
中国
MOQ :
1部分
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間 :
3仕事日
包装の細部 :
全体的な船積みのための強い木箱
適用 :
LD、LED、マイクロウェーブ回路および太陽電池の塗布をすること
直径 :
Øの2"/Ø 3"/Ø 4"
厚さ :
350 um | 625 um
等級 :
Epiは等級/機械等級を磨いた
記述

LD、LEDのマイクロウェーブ回路、太陽電池を作るための単結晶および多結晶性GaAsのウエファー（ガリウム砒素）

 

私達は4"に2"から直径の範囲のLD、LED、マイクロウェーブ回路および太陽電池の塗布、ために光電子工学およびマイクロエレクトロニクスの企業に単結晶および多結晶性GaAsのウエファー（ガリウム砒素）を提供する。私達は2つの主要な成長の技術LECおよびVGF方法によって作り出される単結晶GaAsのウエファーを提供し電気propertirsおよび優秀な表面質の高い均等性を顧客にGaAs材料の最も広い選択与えることを私達を許可する。ガリウム砒素は行なう両方インゴットおよび磨かれたウエファーとして、供給することができ、semi-insulating GaAsのウエファー、機械等級およびepiの準備ができた等級はすべて利用できる。私達は低いEPDの価値のGaAsのウエファーを提供してもいく、あなたのMOCVDおよびMBEの適用のために適した高い表面質はより多くの製品に関する情報のための私達に連絡する。

 

 

GaAsのウエファーの特徴および塗布

 

特徴 適用分野
高い電子移動度 発光ダイオード
高周波 半導体レーザー
高い変換効率 光起電装置
低い電力の消費 高い電子移動度のトランジスター
直接バンド ギャップ ヘテロ接合の両極トランジスター

 

製品仕様書

 
成長 LEC/VGF
直径 Øの2"/Ø 3"/Ø 4"
厚さ 350 um | 625 um
オリエンテーション <100>/<111>/<110>または他
伝導性 P - タイプ/Semi-insulating -タイプ/N
添加物 Zn/Si/undoped
表面 1つの側面はまたは磨かれた双方磨いた
集中 1E17 | 5E19 cm3
TTV <= 10 um
弓/ゆがみ <= 20 um
等級 Epiは等級/機械等級を磨いた

 

単結晶LD LEDのマイクロウェーブ回路のための多結晶性GaAsのウエファーのガリウム砒素

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製品詳細
型式番号 :
MS
原産地 :
中国
MOQ :
1部分
支払の言葉 :
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供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000部分
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 年数
henan, zhengzhou
ありがとうございました 2007
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
主な製品 :
, ,
年間総額 :
5000000-8000000
従業員数 :
50~100
認証レベル :
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