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磨かれた2インチのInAsのウエファーのインジウムのヒ化物1/双方
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仕様
型式番号 :
MS
原産地 :
中国
MOQ :
1部分
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間 :
3仕事日
包装の細部 :
全体的な船積みのための強い木箱
適用 :
赤く、黄色、および緑LED （発光ダイオード）
直径 :
Øの2"/Ø 3"
厚さ :
500 um | 625 um
等級 :
Epiは等級/機械等級を磨いた
記述

 

InAsのウエファー（インジウムのヒ化物）

 

私達は2インチまで直径の光電子工学の企業にInAsのウエファー（インジウムのヒ化物）を提供する。InAsの水晶は要素でそしてとして純粋な6Nによって形作られる混合物で、Czochralski液体の内部に閉じ込められた（LEC）方法によってとのEPD < 15000 cm -3育つ。InAsの水晶にMBEまたはMOCVDのエピタキシアルのために適した電気変数および低い欠陥密度の高い均等性が成長ある。私達に厳密でまたはオリエンテーションを離れて「epi広い選択の準備ができた」のInAsプロダクトが、低くか高い添加された集中および表面の終わりある。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。

 

III-Vの混合のウエファー

私達はGaAsのウエファー、ギャップのウエファー、GaSbのウエファー、InAsのウエファーおよびINPウエファーを含む混合のウエファーの広い範囲を提供する。

 

電気および指定を添加する

 
利用できる添加物 S / Zn/Undoped
タイプの伝導性 N / P
集中 1E17 - 5E18 cm3
移動性 100 | 25000のcm2/v.s。

製品仕様書

 

成長 LEC
直径 Øの2"/Ø 3"
厚さ 500 um | 625 um
オリエンテーション <100>/<111>/<110>または他
オリエンテーションを離れて 2°への10°を離れて
表面 1つの側面はまたは磨かれた双方磨いた
平らな選択 EJまたは半。Std.
TTV <= 10 um
EPD <= 15000のcm-2
等級 Epiは等級/機械等級を磨いた
パッケージ 単一のウエファーの容器
 

磨かれた2インチのInAsのウエファーのインジウムのヒ化物1/双方

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製品詳細
型式番号 :
MS
原産地 :
中国
MOQ :
1部分
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供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間 :
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 年数
henan, zhengzhou
ありがとうございました 2007
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
主な製品 :
, ,
年間総額 :
5000000-8000000
従業員数 :
50~100
認証レベル :
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