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機械等級の技術的な陶磁器の部品INPウエファーのリン化インジウム
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仕様
型式番号 :
MS
原産地 :
中国
MOQ :
1部分
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間 :
3仕事日
包装の細部 :
全体的な船積みのための強い木箱
適用 :
赤く、黄色、および緑LED （発光ダイオード）
直径 :
Øの2"/Ø 3"
厚さ :
500 um | 625 um
等級 :
Epiは等級/機械等級を磨いた
記述

 

INPウエファー（リン化インジウム）

 

私達は直径のマイクロエレクトロニックの（HBT/HEMT）および光電子工学の企業（LED/DWDM/PIN/VCSELs）に良質の単結晶INPウエファー（リン化インジウム）を3インチまで提供する。リン化インジウム（INP）の水晶は2つの要素、インジウムおよびリン化物のCzochralski液体の内部に閉じ込められた（LEC）方法またはVGF方法による成長によって形作られる。INPウエファーはシリコンの薄片と比較される重要な半導体材料優秀な電気および熱特性があるであり、GaAsのウエファー、INPウエファーにより高い電子移動度、より高い頻度、低い電力の消費、より高い熱伝導性および低雑音の性能がある。私達はあなたのMOCVD及びMBEのエピタキシアル適用にepiの準備ができた等級INPウエファーを提供してもいい。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。

 

III-Vの混合のウエファー

私達はGaAsのウエファー、ギャップのウエファー、GaSbのウエファー、InAsのウエファーおよびINPウエファーを含む混合のウエファーの広い範囲を提供する。

 

電気および指定を添加する

利用できる添加物 S / Zn/Fe/Undoped
タイプの伝導性 N / 半導体/Semi-insulating P
集中 1E6 - 8E18 cm3
移動性 >1000のcm2/v.s。

製品仕様書

成長 LEC/VGF
直径 Øの2"/Ø 3"/Ø 4"
厚さ 350 um | 625 um
オリエンテーション <100>/<111>/<110>または他
オリエンテーションを離れて 2°への10°を離れて
表面 1つの側面はまたは磨かれた双方磨いた
平らな選択 EJまたは半。Std.
TTV <= 10 um
弓/ゆがみ <= 20 um
等級 Epiは等級/機械等級を磨いた
パッケージ 単一のウエファーの容器
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今 送れ

機械等級の技術的な陶磁器の部品INPウエファーのリン化インジウム

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製品詳細
型式番号 :
MS
原産地 :
中国
MOQ :
1部分
支払の言葉 :
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供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間 :
3仕事日
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 年数
henan, zhengzhou
ありがとうございました 2007
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
主な製品 :
, ,
年間総額 :
5000000-8000000
従業員数 :
50~100
認証レベル :
Active Member
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