SiC ICPの皿
炭化ケイ素ICPの皿は地殻均衡プロセスによって押すおよび高温の焼結形作られる。タブレットの溝のacupoints、位置および形の外の直径、厚さ、数およびサイズはまたユーザーの特定の条件を満たすユーザーの設計デッサンの条件に従って終了する。