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光電子装置 光発光ダイオード用のSiCウェーファー
光電子装置 光発光ダイオード用のSiCウェーファー
仕様
型式番号 :
MS
原産地 :
中国
MOQ :
1部分
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間 :
3仕事日
包装の細部 :
全体的な船積みのための強い木箱
適用 :
高い発電装置 光電子工学装置GaNのエピタクシー装置 発光ダイオード
直径 :
Øの1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"
厚さ :
330 um | 350 um
等級 :
生産の等級/研究の等級
記述

 

 

SICのウエファー

 

半導体ウエハー、株式会社（SWI）は電子および光電子工学の企業に良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）を提供する。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径で2インチNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。

 

SiCのウエファーの塗布

 

高周波装置 高温装置
高い発電装置 光電子工学装置
GaNのエピタクシー装置 発光ダイオード

 

SiCのウエファーの特性

 
Polytype 6H SiC 4H SiC
水晶積み重ね順序 ABCABC ABCB
格子変数 a=3.073A、c=15.117A a=3.076A、c=10.053A
バンド ギャップ 3.02 eV 3.27 eV
比誘電率 9.66 9.6
屈折の索引 n0 =2.707、ne =2.755 n0 =2.719 ne =2.777

製品仕様書

 
Polytype 4H / 6H
直径 Øの2"/Ø 3"/Ø 4"
厚さ 330 um | 350 um
オリエンテーション を離れた軸線 <0001> /4° <0001> を離れた軸線
伝導性 N - タイプ/Semi-insulating
添加物 N2 （窒素の）/V （バナジウム）
抵抗（4H-N） 0.015 | 0.03オームcm
抵抗（6H-N） 0.02 | 0.1オームcm
抵抗（SI） > 1E5オームcm
表面 CMPは磨いた
TTV <>
弓/ゆがみ <>
等級 生産の等級/研究の等級

 

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製品詳細
型式番号 :
MS
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中国
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1部分
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受渡し時間 :
3仕事日
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 年数
henan, zhengzhou
ありがとうございました 2007
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
主な製品 :
, ,
年間総額 :
5000000-8000000
従業員数 :
50~100
認証レベル :
Active Member
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