1製品説明
1磁気シールド構造 閉ざされた磁気回路 強力な反電磁気干渉 超低周波のバッサー 高密度装置
2低体積,高電流,高周波および高温環境で,優れた温度電流と飽和電流特性を維持する.
3低負荷合金粉末鋳造,低抵抗. 堅固な構造,高精度な製品.
5.6uH 統合シールドインダクタ 磁気シールド構造 閉ざされた磁気回路 強い反電磁気干渉 超低音響 密度が高い装置高電流低負荷合金粉末鋳造,低抵抗性. 低負荷合金粉末鋳造,低抵抗性.堅固な構造と高い製品精度広範囲の動作周波数で5MHz以上.RoHS,ハロゲンフリー環境保護製品.
1. サイズが小さく,電流が少ないため,高温で良好な温度上昇電流と飽和電流の特徴を維持できます.
2単体インダクターは 模具を独立して開く デザイン特許を数多く持っていて 独立した知識製品も数多く持っています
3低損失,低インペデンス,リード端末なし,小さな寄生容量
4.5.6uH 統合シールドインダクターは,磁気回路を閉じて,頑丈で頑丈な1部形成形構造を採用し,磁気シールドとEMI性能が良好です.
5磁気遮蔽構造,閉ざされた磁気回路,強力な抗電磁気干渉,非常に低いブーミング音,および高い設置密度
6低負荷合金粉末鋳造,低インピーダンスの使用.
7固く堅固で高精度で耐久性のある防腐性
シリーズ | A (mm) | B (mm) | C (mm) | D (mm) | E (mm) |
ZXY-1050 | 10.3±02 | 10.5±10 | 5.0MAX | 2.0±05 | 3.0±03 |
部分番号 | LO 誘導力 (μH) ±20% |
熱量評価 流動 イルムス (A) |
飽和度 流動 イサット (A) |
DCR (mΩ) | |
タイプ | マックス | ||||
ZXY1050-R82M | 0.82 | 17 | 32 | 1.5 | 1.8 |
ZXY1050-1R0M | 1 | 16 | 30 | 2.1 | 2.5 |
ZXY1050-1R2M | 1.2 | 15 | 28 | 3.1 | 3.5 |
ZXY1050-1R5M | 1.5 | 14 | 27 | 3.6 | 4.1 |
ZXY1050-2R2M | 2.2 | 12 | 22 | 6.5 | 8.2 |
ZXY1050-3R3M | 3.3 | 10 | 19 | 9.2 | 10.8 |
ZXY1050-4R7M | 4.7 | 8 | 16 | 13.6 | 15 |
ZXY1050-5R6M | 5.6 | 7.5 | 15 | 18.4 | 20 |
ZXY1050-6R8M | 6.8 | 6.5 | 13 | 19.6 | 22 |
ZXY1050-8R2M | 8.2 | 6 | 12 | 21.9 | 25 |
ZXY1050-100M | 10 | 5.5 | 11 | 23.5 | 30 |
ZXY1050-150M | 15 | 4.5 | 9 | 48 | 55 |
ZXY1050-220M | 22 | 4 | 7 | 58 | 66 |
ZXY1050-330M | 33 | 3 | 6 | 89 | 105 |
ZXY1050-470M | 47 | 3 | 5.5 | 124 | 145 |
ZXY1050-680M | 68 | 1.5 | 3 | 171 | 190 |
ZXY1050-101M | 100 | 1 | 2 | 268 | 290 |