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60V10.8AダイオードトランジスタFETSDMT6009LSS-13シングルMOSFETNチャネル
60V10.8AダイオードトランジスタFETSDMT6009LSS-13シングルMOSFETNチャネル
仕様
型式番号 :
DMT6009LSS-13
原産地 :
中国
MOQ :
10
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
500000PCS
受渡し時間 :
2-15days
包装の細部 :
巻き枠
部門 :
電子部品-ディスクリート半導体
タイプ :
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs
家族 :
ダイオードトランジスタ
土台 :
サーファクトマウンティング
適用 :
スイッチングモード電源アダプタ照明コンバータ
パッケージ :
SOP8
Serise :
MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T＆R 2
製品名 :
DMT6009LSS-13シングルMOSFETNチャネル60V10.8Aトランジスタダイオード
記述 :
Nチャネル60V 10.8A（Ta）1.25W（Ta）表面実装8-SO
ストック :
ストック
記述

DMT6009LSS-13単一MOSFET Nチャネル60V 10.8Aのトランジスター

FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2の分離した半導体

DMT6009LSS-13指定:

部品番号 DMT6009LSS-13
部門
分離した半導体製品
　
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
Mfr
組み込まれるダイオード
シリーズ
-
パッケージ
テープ及び巻き枠（TR）
部分の状態
活動的
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
60ボルト
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
10.8A （Ta）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
4.5V、10V
（最高） @ ID、VgsのRds
9.5mOhm @ 13.5A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID
2V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
33.5 NC @ 10ボルト
Vgs （最高）
±20V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
1925 pF @ 30ボルト
FETの特徴
-
電力損失（最高）
1.25W （Ta）
実用温度
-55°C | 150°C （TJ）
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
8-SO
パッケージ/場合
8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
基礎プロダクト数
DMT6009

関連製品:

DMT6009LSS-13特徴
*ガラス不動態化された破片
*作り付けのストレイン・レリーフ
*低いインダクタンス
*最も高いピークの逆の電力損失
*低い逆の漏出
*人体モデルごとのクラス3 （> 20のkV）のESDの評価

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Angel Technology Electronics Co

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4 年数
hongkong, shenzhen
ありがとうございました 2006
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
主な製品 :
, ,
年間総額 :
80 millions-500 millions
従業員数 :
20~200
認証レベル :
Verified Supplier
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