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IPD031N06L3G TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用
IPD031N06L3G TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用
仕様
型式番号 :
IPD031N06L3G
原産地 :
原物
MOQ :
1PCS
支払の言葉 :
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
97830pcs
受渡し時間 :
3
包装の細部 :
4000
質: :
真新しい未使用
パッケージ/箱: :
TO-252
標準的 :
8000+
記述

ISO9001.pdf

適用:IPD031N06L3Gは強力な転換の電源、コンバーター、モーター ドライブ、LEDの照明および他の分野で広く利用された高圧MOSFETのトランジスターである。
結論:IPD031N06L3Gに低い抵抗、高い現在の抵抗容量、低い転換の損失およびそれを有効な力転換回路のために適したようにする高温性能のような優秀な特徴がある。
変数:
源の電圧を流出させなさい:60V
現在を流出させなさい:100A
典型的な抵抗:3.1m Ω
入れられたキャパシタンス:3742pF
出力キャパシタンス:891pF
ゲート充満:60nC
ゲート源電圧:± 20V
包装:TO-252 （D朴）包装、サイズ6.5mm x 9.8mm x 4.6mm、手動および自動溶接のための適した。

プロダクト技術仕様  
   
EU RoHS 免除の聽と迎合的
ECCN （米国） EAR99
部分の状態 未確認
SVHC はい
SVHCは境界を超過する はい
自動車 はい
PPAP 未知数
製品カテゴリ 力MOSFET
構成 単一
加工技術 OptiMOS
チャネル モード 強化
チャネル タイプ N
破片ごとの要素の数 1
最高の下水管の源の電圧（v） 100
最高のゲート源電圧（v） 卤20
最高の連続的な下水管現在の（a） 35
最高の下水管の源の抵抗（mOhm） 25@10V
典型的なゲート充満@ Vgs （NC） 23@10V
典型的なゲート充満@ 10V （NC） 23
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF） 1560@50V
最高の電力損失（MW） 71000
典型的な落下時間（ns） 3
典型的な上昇時間（ns） 4
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns） 13
典型的なTurn-On遅れ時間（ns） 10
最低の実用温度（掳C） -55
最高使用可能温度（掳C） 175
製造者の温度の等級 自動車
包装 テープおよび巻き枠
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 2.3
パッケージの幅 6.22
パッケージの長さ 6.5
PCBは変わった 2
タブ タブ
標準パッケージの名前 TO-252
製造者のパッケージ DPAK
ピン・カウント 3
このサプライヤーにメッセージを送信します
今 送れ

IPD031N06L3G TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

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製品詳細
型式番号 :
IPD031N06L3G
原産地 :
原物
MOQ :
1PCS
支払の言葉 :
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
97830pcs
受渡し時間 :
3
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IPD031N06L3G TO-252の集積回路の破片ICの真新しい原物 未使用

HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2016
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
6000000-1200000
従業員数 :
100~200
認証レベル :
Verified Supplier
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