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IPD082N10N3 TO-252 Ic 統合回路 Nチャネル モスフェットトランジスタ
IPD082N10N3 TO-252 Ic 統合回路 Nチャネル モスフェットトランジスタ
仕様
型式番号 :
IPD082N10N3
原産地 :
原物
MOQ :
1PCS
支払の言葉 :
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
57830pcs
受渡し時間 :
3
包装の細部 :
4000
標準的 :
8000+
質: :
真新しい未使用
パッケージ/箱: :
TO-252
記述

 

ISO9001.pdf

IPD082N10N3はNチャネルMOSFETトランジスタである.その用途,結論,パラメータは以下のとおりである.
適用:
高電圧と高電力の負荷スイッチとして使用
変換器と調節器のスイッチとして使用される
結論は
高電圧対応:Vds=100V
低導電抵抗:Rds (オン) =8.2m Ω (典型)
速速切換速度: td (オン) =16ns (典型), td (オフ) =60ns (典型)
高温性能: 175°Cまで動作する
RoHS指令と鉛のない要件を満たす
パラメーター:
Vds (排水源電圧): 100V
Vgs (ゲートソース電圧): ± 20V
Id (排出電流): 80A
Rds (オン) (伝導抵抗): 8.2m Ω (典型)
Qg (ゲート充電): 135nC (典型)
Td (オン) (スタート遅延時間): 16ns (典型)
Td (オフ) (シャットダウン遅延時間): 60ns (典型)
Tj (交差点温度): 175 °C
RoHS指令と無鉛の要件を満たしています

製品技術仕様  
   
EU RoHS 免除聽 に準拠する
ECCN (アメリカ) EAR99
部品のステータス 確認されていない
SVHC そうだ
SVHC 制限値を超え そうだ
自動車 知らない
PPAP 知らない
製品カテゴリー パワー MOSFET
構成 シングル
プロセス技術 オプティモス 3
チャンネルモード 強化
チャンネルタイプ N
チップ1個あたりエレメント数 1
最大排水源電圧 (V) 100
ゲートソースの最大電圧 (V) ¥20
最大ゲートスリージングル電圧 (V) 3.5
最大連続流出電流 (A) 80
最大ゲートソース漏電電 (nA) 100
最大IDSS (uA) 1
最大排水源抵抗 (mOhm) 8.2@10V
典型的なゲートチャージ @ Vgs (nC) 42@10V
典型的なゲート充電 @ 10V (nC) 42
典型的な入力容量 @ Vds (pF) 2990@50V
最大電力の分散 (mW) 125000
典型的な秋時間 (ns) 8
典型的な上昇時間 (ns) 42
典型的な切断遅延時間 (ns) 31
典型的なオンアップ遅延時間 (ns) 18
最低動作温度 ( capturC) -55歳
最大動作温度 ( capturC) 175
パッケージ テープ と リール
マウント 表面マウント
パッケージの高さ 2.41 (最大)
パッケージの幅 6.22 (最大)
パッケージの長さ 6.73 (最大)
PCBが変わった 2
タブ タブ
標準パッケージ名 TO-252
供給者 パッケージ DPAK
ピン数 3
鉛の形状 クラゲの翼
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今 送れ

IPD082N10N3 TO-252 Ic 統合回路 Nチャネル モスフェットトランジスタ

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製品詳細
型式番号 :
IPD082N10N3
原産地 :
原物
MOQ :
1PCS
支払の言葉 :
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
57830pcs
受渡し時間 :
3
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HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2016
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
6000000-1200000
従業員数 :
100~200
認証レベル :
Verified Supplier
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