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IPD80R1K4P7 Nチャネル モスフェットトランジスタ TO-252
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IPD80R1K4P7 Nチャネル モスフェットトランジスタ TO-252
IPD80R1K4P7 Nチャネル モスフェットトランジスタ TO-252
仕様
型式番号 :
IPD80R1K4P7
原産地 :
原物
MOQ :
1PCS
支払の言葉 :
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
37830pcs
受渡し時間 :
3
包装の細部 :
4000
標準的 :
8000+
質: :
真新しい未使用
パッケージ/箱: :
TO-252
記述

ISO9001.pdf

適用:
IPD80R1K4P7は高性能DC-DCのコンバーターおよび電源の塗布で一般的なN-channel MOSFETのトランジスターである。それは低電圧で作動でき、低電圧の適用でそれを使用のために非常に適したようにする低い抵抗および高い切り替え速度がある。
結論:
IPD80R1K4P7に次の特徴がある:
まさに低い切換えおよび伝導の損失;
高圧で作動することができる高圧限界;
高い切り替え速度は有効なDC-DCのコンバーターを可能にする;
高温度の環境で働くことができる高温安定性。
変数:
IPD80R1K4P7の主変数は次の通りある:
評価される流れ:80A;
評価される電圧:40V;
最高の下水管の電源電圧:55V;
静的な抵抗:1.4m Ω;
典型的なキャパシタンス:2000pF;
働く温度較差:-55 ° C~+175の° C;
包装タイプ:TO-252 （DPAK）。

プロダクト技術仕様  
   
EU RoHS 免除の聽と迎合的
ECCN （米国） EAR99
部分の状態 未確認
HTS 8541.29.00.95
SVHC はい
SVHCは境界を超過する はい
自動車 いいえ
PPAP いいえ
製品カテゴリ 力MOSFET
構成 単一
加工技術 CoolMOS P7
チャネル モード 強化
チャネル タイプ N
破片ごとの要素の数 1
最高の下水管の源の電圧（v） 800
最高のゲート源電圧（v） 20
最高のゲートの境界の電圧（v） 3.5
最高の連続的な下水管現在の（a） 4
最高のゲートの源の漏出流れ（nA） 1000
最高IDSS （uA） 1
最高の下水管の源の抵抗（mOhm） 1400@10V
典型的なゲート充満@ Vgs （NC） 10@10V
典型的なゲート充満@ 10V （NC） 10
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF） 250@500V
最高の電力損失（MW） 32000
典型的な落下時間（ns） 20
典型的な上昇時間（ns） 8
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns） 40
典型的なTurn-On遅れ時間（ns） 10
最低の実用温度（掳C） -55
最高使用可能温度（掳C） 150
包装 テープおよび巻き枠
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 2.41 （最高）
パッケージの幅 6.22 （最高）
パッケージの長さ 6.73 （最高）
PCBは変わった 2
タブ タブ
製造者のパッケージ DPAK
ピン・カウント 3
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今 送れ

IPD80R1K4P7 Nチャネル モスフェットトランジスタ TO-252

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製品詳細
型式番号 :
IPD80R1K4P7
原産地 :
原物
MOQ :
1PCS
支払の言葉 :
D/A、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
37830pcs
受渡し時間 :
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HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED

Verified Supplier
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2016
事業形態 :
ディストリビューター/卸し業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
6000000-1200000
従業員数 :
100~200
認証レベル :
Verified Supplier
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