Jul 15, 2025
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製品説明: InGaAsの探知器の破片SCのタイプが付いている1100nm-1650nm小さい区域のInGaAsフォトダイオード     1100nm-1650nm小さい区域のInGaAsフォトダイオードはInGaAsの探知器の破片を使用し、低い電力の消費を特色にする、 小さい暗電流、高い感受性、大きいもっと学ぶ
InGaAsの探知器の破片SCのタイプが付いている1100nm-1650nm小さい区域のInGaAsフォトダイオード

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InGaAsの探知器の破片SCのタイプが付いているInGaAsフォトダイオード
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Shenzhen Hicorpwell Technology Co., Ltd

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