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分離の単位DFB FPの半導体レーザーのない性能の高い発電Cwのデバイス・ドライバ サポート モジュール
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仕様
型式番号 :
繊維光学のピグテール同軸DFBの半導体レーザーレーザー モジュール
原産地 :
中国
MOQ :
10sets
支払の言葉 :
ウェスタン・ユニオン、L/C、T/T
供給の能力 :
1週あたりの5000pcs
包装の細部 :
7X25X34CMの箱の10 PC、カートンの50 PC
タイプ :
半導体レーザー
波長 :
1270nm-1610nm
分離 :
単一/倍
破片 :
CWDM DFB
許容 :
+/-3nm
支払 :
TT/PayPal
最高。逆電圧 :
15 （PD）
パッケージのタイプ :
穴を通して
記述

分離の単位DFB FPの半導体レーザーのない性能の高い発電Cwのデバイス・ドライバ サポート モジュール

 

 

特徴

 

Øの作り付けの光学アイソレーター

Øの低いキャパシタンスおよび低い暗電流

Ø
DFBのレーザーの安定性が高い死になさい

Øの低い境界の流れ、低い動作電流

Øの統合された高い分離、低い挿入損失

 

適用

 

CATVの逆伝達

他のアナログまたはデジタル光学伝達

 

 

絶対最高評価

 

変数 記号 Min. 最高。 単位 テスト条件
保管温度 Tstg -40 100 ℃ -
実用温度 上 -40 85 ℃ -
前方現在（LD） （LD）   150 mA  
逆電圧（LD） Vr （PD）   2 V  
前方現在（PD） （LD）   2 mA  
逆電圧（PD） Vr （PD）   15 V  
はんだ付けする臨時雇用者 - - 260 ℃ -
はんだ付けする時間 - - 10 S S

 

 

光学及び電気特徴

 

変数 記号 Min. タイプ。 最高。 単位 テスト条件
評価される力 Po 6 8   MW Ith+40mA
境界の流れ Ith   5 10 mA CW
作動の操作   45 55 mA CW、P=Po
前方電圧低下 Vop - 1.1 1.5 V CW、Ith+40mA
セントの波長 λc 1540 1550 1560 nm -3dB
スペクトルの幅 Δλ -   0.2 nm -20dB
サイド モード抑制の比率 SMSR 35   - dB -
帯域幅（3dB） Bw - 2.5   GHz -
モニターの流れ Im 0.1   0.9 mA CW、Ith+40mA
モニターの暗電流 ID - - 0.1 uA 5V
相対的な強度の騒音 RIN - -155 -150 dB/Hz CW、25℃
RFの帯域通過平坦 BF   ±1.0   dB If=Iop、45MHz-2500MHzのT=25 °C
第三次のゆがみ IMD3 - -55 - dBc 2つの調子テスト、
光学分離 ISO 30 40 - dB 25℃

 

 
、Pb=0.2mW擬似乱、ノート1. 2.5Gb/s NRZ Ppeak=1.0mW
 
付加的な条件は友好的な交渉によって解決することができる。
 
私達はプロダクトへの変更を行なう権利を確保するまたは情報はここに含んでいた
 
予告なしに。

 

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製品詳細
型式番号 :
繊維光学のピグテール同軸DFBの半導体レーザーレーザー モジュール
原産地 :
中国
MOQ :
10sets
支払の言葉 :
ウェスタン・ユニオン、L/C、T/T
供給の能力 :
1週あたりの5000pcs
包装の細部 :
7X25X34CMの箱の10 PC、カートンの50 PC
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Shenzhen Hicorpwell Technology Co., Ltd

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8 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Importer, Exporter
主な製品 :
, ,
年間総額 :
3,000,000-5,000,000
従業員数 :
160~166
認証レベル :
Site Member
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