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インディアムアルセニード2インチ3インチ4インチシングルクリスタル基板 N/Pタイプ半導体

仕様

モデル番号 :

インア・ウエフラー

産地 :

中国

支払条件 :

T/T

配達時間 :

2〜4週間

材料 :

インディウムアルセニド

サイズ :

2inch 3inch 4inch

厚さ :

500um/600μm/800μm ±25um

オリエンテーション :

<100>

デスニティ :

5.67g/cm

カスタマイズ :

サポート

記述

製品説明

インディアムアルセニード2インチ3インチ4インチシングルクリスタル基板 N/Pタイプ半導体

インディアム・インアス (Indium InAs) は,インディアムとアルセンからなる半導体.灰色の立方結晶の外観と942°Cの融点を有する.インディアムアルセニドは,波長範囲1〜3の赤外線検出器の構築に使用されます.8um.検出器は通常光電光二极管である.冷凍検出器は騒音が少ないが,室温での高電力アプリケーションにも使用できる.インディウムアルセニドは,二極電極レーザーの製造にも用いられます.インディアムアルセニドは,ガリウムアルセニドに似ている直接帯隙材料である.インディアムアルセニドは,時にはインディアムリン酸と使用される.ギャリウムアルセニードと合金してインディウムアルセニードを成す - In/Ga比に応じて帯隙を持つ材料この方法は,主にインディアムナイトリドをガリウムナイトリドと合金してインディアムナイトリドを生産することに似ている.インディアムアルセニドは,高い電子移動性と狭いバンドギャップで知られています.広範囲にわたってテラヘルツ放射源として使用されているのは,強力な光のアンバー発射体であるからです.

特徴

- 高電子移動性 (μe/μh=70) を有し,ホール装置のための理想的な材料となる.

- MBEは,GaAsSb,InAsPSb,およびInAsSbの多角形材料で育てることができます.

- 液体密封方法 (CZ) で,材料の純度が99.9999% (6N) まで確保される.

- すべての基板は精密に磨き上げられ Epi-Ready 要求を満たすために保護空気で満たされています

- 結晶向き選択:他の結晶向きが利用可能である (110).

- エリプソメーターなどの光学測定技術により,各基板の表面が清潔であることを保証します.

テクニカルパラメータ

結晶	ドープ	タイプ		イオンキャリア濃度 cm-3	移動性 (cm2/V.s)	MPD ((cm-2)	サイズ
INA	アンドープ	N		5*1016	32*104	<5*104	Φ2′′×0.5mm Φ3′′×0.5mm
INA	Sn	N		(5-20) *1017	>2000年	<5*104	Φ2′′×0.5mm Φ3′′×0.5mm
INA	Zn	P		(1-20) *1017	100〜300	<5*104	Φ2′′×0.5mm Φ3′′×0.5mm
INA	S	N		(1-10) *1017	>2000年	<5*104	Φ2′′×0.5mm Φ3′′×0.5mm
サイズ (mm)			ダイヤル50.8×0.5mm,10×10×0.5mm,10×5×0.5mmはカスタマイズすることができます
アラ			表面荒さ (Ra):<=5A
ポリス			片面または双面に磨いたもの
パッケージ			清掃室で100級の清掃用プラスチック袋

申請

- 赤外線光電子機器:インディアムアルセニドは赤外線光を吸収する優れた特性を持ち,赤外線検出器,イメージング機器,レーザーの製造に使用されている.
- 高周波電子機器電子の移動性が高いためインディアムアルセニドは,FET (フィールド効果トランジスタ) とHEMT (高電子移動トランジスタ) などの高周波および高速電子装置に広く使用されています.
- 量子点と量子井戸量子コンピューティングと量子通信の分野では,インディウムアルセニードが量子ドットと量子井戸構造を製造するために使用されます.
- 光通信:インディアムアルセニドは,信号伝送効率を向上させるために,光ファイバー通信におけるレーザーダイオードと光学増幅器を製造するために使用できます.
- 熱電気材料:インディウムアルセニードは,熱電変換機や冷却機で熱電材料として使用され,エネルギー回収と温度制御が可能です.
- センサー:環境モニタリングとバイオメディシン分野では,インディアムアルセニドは,ガスや生物分子を検出する様々なセンサーの製造に使用されています.

私たちのサービス

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4オーダーメイドデザインは可能です.

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あなたのニーズに基づいて

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