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2 S 付加されたGAP半導体EPIウェーファー N型P型 250um 300um型 光発光二極管
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仕様
モデル番号 :
ギャップ
産地 :
中国
最低注文量 :
25pcs
支払条件 :
T/T
配達時間 :
30日
パッケージの詳細 :
カスタマイズされた箱
材料 :
ギャップ
直径 :
2' 4' 6' 8' 8'
厚さ :
175mm 225mm
ドーパント :
S
グレード :
A について
オリエンテーション :
(111)A 0°+02
ゆがみ :
10um
弓 :
10um
TTV :
10um
記述

2 S ドープされたGAP半導体EPIウェーファーN型P型250um300um型光発光二極管

記述:

ガリウムリン酸 (GaP) は,III-V組の化合物である.外見はオレンジ色の赤透明結晶である.ガリウムリン酸は,安価な赤色,緑色とオレンジ色,低~中等明るさの光電極高電流では寿命が短く,温度にも敏感です.ガリウムリン酸 (GaP) は,間接エネルギーギャップが2の無機化合物であり,半導体材料である..26eV (300K).そのポリ結晶材料は淡いオレンジ色である.ガリウムリン酸は臭いがなく,水中に溶けない.N型半導体になるには,硫黄またはテルリウムがドーピングされなければならない.そしてP型半導体を作る亜鉛はドーピングされている必要があります.

特徴:

半導体材料 ガリウム・フォスフィード (Gap) は,室温でIII-Vグループ化合物半導体のガリウム (Ga) とリン (P) の合成から構成され,純度が高いのはオレンジ色赤色透明固体半導体可視光を発する装置の製造のための重要な材料であり,主に直す器,トランジスタ,光ガイドの製造に使用されます.レーザーダイオードと冷却要素ガリウム・リン酸塩とガリウム・アルセニドは電光発光性を持つ半導体で,ゲルマニウムとシリコンに次ぐいわゆる第三世代の半導体である.ガリウムアルセニドLEDは高量子効率機体はコンパクトでシンプルで 機械的な強度が高いし 寿命も長いので"光学電話"に使えます

パラメーター:

ポイント パラメータ
色 透明 オレンジ 赤
直径 50.6+03
厚さ 175 225 について
ドーパント S
密度

4.138g/cm3
溶融点

1477 °C
成長方法 LEC
溶解性 溶ける
オリエンテーション (111)A 0°+02
屈折率 4.3
ワープ 10um
身をかがめる 10um
TTV 10um
グレード A について

適用:

インディアム・フォスフィド (InP) は,スファレライト結晶構造,5.87×10-10mの格子定数,1.34eVのバンドギャップ,室温での移動性3000~4500cm2 / (V.S) のIII~V化合物である.InP結晶には多くの利点があります, 高飽和電子漂移速度,強い放射線抵抗性,良い熱伝導性,高光電変換効率などで,光通信に広く使用されています.高周波ミリ波装置将来,コンポーネントの需要は5G通信のアプリケーションを結びつけるでしょう.高速通信の特性を持つ自動車用電子機器と光通信2代目と3代目の複合半導体は シリコン半導体の ムーアの法則を破る.

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FAQ

Q: ブランド名は何ですか?S ドープされたGAP?

A: ブランド名S ドープされたGAPZMSH です

Q: 認証とは?S ドープされたGAP?

A: 認証S ドープされたGAPROHSです

Q: 原産地は?S ドープされたGAP?

A: 原産地S ドープされたGAP中国です

Q: の MOQ は?S 一度にGAPをドープした?

A: MOQ はS ドープされたGAP25個ずつです

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最低注文量 :
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配達時間 :
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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8 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
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年間総額 :
1000000-1500000
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