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1.5VノートDDR3のRAM 4GB 1333MHzの記憶8192周期
1.5VノートDDR3のRAM 4GB 1333MHzの記憶8192周期
仕様
型式番号 :
n3
原産地 :
中国
RAM :
DDR3 1333
記憶速度 :
1333のMHz
容量 :
4GB
潜伏 :
CL11
電圧 :
1.35V / 1.5V
ECCのタイプ :
非ECC
MOQ :
100pc
記述

Faspeed N3 4GB DDR3のRAM 1333MHzのノートのラップトップの記憶

 

  • PC3-12800 （1600MHz）データ転送速度
    204 Pin二重インライン記憶モジュール
    非ECC Unbuffered SODIMM
    5臭い二重味方されたモジュール
    7.8USによっては新たになる間隔（8192 CYCLES/64MS）が
    1.35V電力要求事項
    テストされる迎合的な100%およびRoHS
    Intelの第3世代別移動式プロセッサ、またAMD Aシリーズ移動式プロセッサを使用
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1.5VノートDDR3のRAM 4GB 1333MHzの記憶8192周期

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製品詳細
型式番号 :
n3
原産地 :
中国
RAM :
DDR3 1333
記憶速度 :
1333のMHz
容量 :
4GB
潜伏 :
CL11
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HONG KONG HUATOOP TECHNOLOGY LIMITED

Active Member
5 年数
shenzhen
ありがとうございました 2008
事業形態 :
Manufacturer, Seller
主な製品 :
, ,
年間総額 :
3000000-5000000
従業員数 :
50~100
認証レベル :
Active Member
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