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広東省電子ICの破片IDT71V416L12PHI SRAM -非同期記憶IC 4Mbit平行12 Ns 44-TSOP II
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仕様
型式番号 :
IDT71V416L12PHI
MOQ :
>=1pcs
支払の言葉 :
L/C、T/T、D/A、D/P、ウエスタンユニオン、
供給の能力 :
Day+pcs+1-2daysごとの100000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-3Days
包装の細部 :
テープ及び巻き枠（TR）の切口テープ（CT） Digi巻き枠
原産地 :
中国
記述 :
IC SRAM 4MBIT パラレル 44TSOP II
タイプの取付け :
表面の台紙
実用温度 :
-40°C | 85°C
パッケージ/場合 :
44-TSOP
電圧-供給 :
3V～3.6V
記憶フォーマット :
SRAM
メモリ構成 :
256K×16
プロダクト状態 :
活動的
基礎プロダクト数 :
IDT71V416
記述

広東省電子ICの破片IDT71V416L12PHI SRAM -非同期記憶IC 4Mbit平行12 Ns 44-TSOP II

製品の説明

部品番号IDT71V416L12PHIはRenesasの電子工学アメリカ株式会社によって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

IDT71V416L12PHIのより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量IDT71V416L12PHIを加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

IDT71V416は256K X 16として組織される4,194,304ビット高速静的なRAMである。それは高perfomance IDT高信頼性を使用して製造される

CMOSの技術。革新的な回路設計の技術と結合されるこの最新式の技術は高速記憶必要性に費用効果が大きい解決を提供する。

IDT71V416に出力が可能にする5nsとして速く作動する10ns速い住所アクセス時間のピンをある。すべての二方向の入力

IDT71V416の出力はLVTTL互換性があり、操作は単一3.3V供給からである。要求する十分に静的な非同期回路部品は使用される

時計無しまたは操作のために新たになるため。

IDT71V416は44ピンで、400ミルのプラスチックSOJおよび44ピン、400ミルTSOPのタイプIIのパッケージおよび48の球の格子配列の9mm x包まれる

9mmのパッケージ。

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製品詳細
型式番号 :
IDT71V416L12PHI
MOQ :
>=1pcs
支払の言葉 :
L/C、T/T、D/A、D/P、ウエスタンユニオン、
供給の能力 :
Day+pcs+1-2daysごとの100000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-3Days
包装の細部 :
テープ及び巻き枠（TR）の切口テープ（CT） Digi巻き枠
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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Active Member
3 年数
hong kong
ありがとうございました 2010
事業形態 :
Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-9990000
従業員数 :
20~100
認証レベル :
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