仕様
型式番号 :
CY14V101NA-BA45XI
原産地 :
中国、広東省
MOQ :
>=5pcs
支払の言葉 :
条件付捺印証書、L/C、D/A、D/P、T/T
供給の能力 :
Day+pcs+2-7daysごとの99000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-4work幾日
包装の細部 :
元の工場は標準的なタイプが付いているパッキングを密封した:管、皿、テープおよび巻き枠の箱、袋のパッキング。
記述 :
IC NVSRAM 1MBITの平行48FBGA
パッケージ/場合 :
48-TFBGA
タイプの取付け :
表面の台紙
実用温度 :
-40°C | 85°C (TA)
電圧-供給 :
2.7V | 3.6V
記憶容量 :
1Mビット
プロダクト状態 :
活動的
基礎プロダクト数 :
CY14V101
記述

TPS82130SILRの非絶縁ポール モジュールDC DCのコンバーター1が0.9を出力した板台紙を電源| 5V 3A

 

製品の説明

 

Cypress CY14V101LA/CY14V101NAは各メモリ セルの不揮発性要素との速く静的なRAM、である。記憶は8ビットの128のKバイトそれぞれか16ビットの64のKの単語それぞれとして組織される。埋め込まれた不揮発性要素はQuantumTrapの技術を組み込み、世界の最も信頼できる不揮発性メモリを作り出す。SRAMは独立した不揮発性データはQuantumTrapの信頼性が高い細胞に存在するが、無限読書を提供し、周期を書く。SRAMからの不揮発性要素(店操作)へのデータ転送は力で自動的に起こる。パワーアップで、データは不揮発性メモリからのSRAM (リコール操作)に元通りになる。店およびリコール操作は両方ソフトウェア制御の下でまた利用できる。

 

プロダクト特性

 

プロダクト状態
活動的
記憶タイプ
不揮発性
記憶フォーマット
NVSRAM
技術
NVSRAM (不揮発性SRAM)
記憶容量
1Mbit
記憶構成
64K X 16
記憶インターフェイス
平行
周期にタイムの単語、ページを書きなさい
45ns
アクセス時間
45 ns
電圧-供給
2.7V | 3.6V
実用温度
-40°C | 85°C (TA)
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
48-TFBGA
製造者装置パッケージ
48-FBGA (6x10)
基礎プロダクト数
CY14V101

 

不揮発性SRAMの記憶IC 1Mbit平行45 ns 48-FBGA

不揮発性SRAMの記憶IC 1Mbit平行45 ns 48-FBGA

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型式番号 :
CY14V101NA-BA45XI
原産地 :
中国、広東省
MOQ :
>=5pcs
支払の言葉 :
条件付捺印証書、L/C、D/A、D/P、T/T
供給の能力 :
Day+pcs+2-7daysごとの99000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-4work幾日
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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

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3 年数
hong kong
ありがとうございました 2010
事業形態 :
Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-9990000
従業員数 :
20~100
認証レベル :
Active Member
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