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ZXMN10A07FTAの電子受動の部品Nチャネル100V 700mA 625mW SOT-23-3
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仕様
型式番号 :
ZXMN10A07FTA
原産地 :
中国
MOQ :
>=2pcs
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、ウェスタン ユニオン、T/T、
供給の能力 :
2-3Daysごとの60000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
1-4Work幾日
包装の細部 :
元の工場は標準的なタイプが付いているパッキングを密封した:管、皿、テープおよび巻き枠の箱、袋のパッキング。またはあなたの必要性のための要求。
詳細な説明 :
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
プロダクト状態 :
活動的
パッケージ/場合 :
SOT-23-3
技術 :
MOSFET (金属酸化物)
消費電力 (最大) :
625mW （Ta）
作動の電圧: :
±20V
実用温度: :
-55℃～150℃(TJ)
基礎プロダクト数 :
ZXMN10
記述

ZXMN10A07FTAのN-Channel 100 V 700mA 625mWの表面の台紙SOT-23-3

ダイオード ショットキー100つのV 1Aの表面の台紙SMBの単一の整流器ダイオードMBRS1100T3G

製品の説明

このMOSFETはオン州の抵抗（RDS設計されていた（）最小にするように）を今までのところではそれを作る優秀な転換の性能を維持するため
高性能力管理適用のための理想。

プロダクト特性

プロダクト状態
活動的
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
100ボルト
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
700mA （Ta）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
6V、10V
（最高） @ ID、VgsのRds
700mOhm @ 1.5A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID
4V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
2.9 NC @ 10ボルト
Vgs （最高）
±20V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
138 pF @ 50ボルト
FETの特徴
-
電力損失（最高）
625mW （Ta）
実用温度
-55°C | 150°C （TJ）
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
SOT-23-3
パッケージ/場合
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基礎プロダクト数
ZXMN10

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製品詳細
型式番号 :
ZXMN10A07FTA
原産地 :
中国
MOQ :
>=2pcs
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、ウェスタン ユニオン、T/T、
供給の能力 :
2-3Daysごとの60000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
1-4Work幾日
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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Active Member
3 年数
hong kong
ありがとうございました 2010
事業形態 :
Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-9990000
従業員数 :
20~100
認証レベル :
Active Member
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