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TH58NVG3-TOSHIBA-プラットホーム抜け目がないXLの高密度構成および記憶装置ICは8GBIT平行48TSOP I点滅する
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仕様
型式番号 :
TH58NVG3S0HTA00
MOQ :
>=1pcs
供給の能力 :
Day+pcs+2-5daysごとの90000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-3Days
包装の細部 :
元の工場は標準的なタイプが付いているパッキングを密封した:管、皿、テープおよび巻き枠の箱、袋のパッキング。またはあなたの必要性のための要求。
原産地 :
中国
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、
パッケージ/場合 :
TSOP48
タイプの取付け :
表面の台紙
実用温度 :
0°C | 70°C
詳細な説明 :
フラッシュ - NAND（SLC） メモリ IC 8Gbit パラレル 25 ns 48-TSOP I
電圧-供給 :
2.7V | 3.6V
プロダクト状態 :
活動的
記憶容量 :
8ギガビット
メモリ構成 :
1G×8
メモリータイプ :
不揮発性
記述

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製品の説明

部品番号TH58NVG3S0HTA00は東芝によって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

TH58NVG3S0HTA00のより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量TH58NVG3S0HTA00を加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

プロダクト特性

プロダクト状態
活動的
記憶タイプ
不揮発性
記憶フォーマット
フラッシュ
技術
フラッシュ-否定論履積（SLC）
記憶容量
8Gbit
記憶構成
1G X 8
記憶インターフェイス
平行
周期にタイムの単語、ページを書きなさい
25ns
アクセス時間
25 ns
電圧-供給
2.7V | 3.6V
実用温度
0°C | 70°C （TA）
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
48-TFSOP （0.724"、18.40mmの幅）
製造者装置パッケージ
48-TSOP I
基礎プロダクト数
TH58NVG3

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製品詳細
型式番号 :
TH58NVG3S0HTA00
MOQ :
>=1pcs
供給の能力 :
Day+pcs+2-5daysごとの90000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :
2-3Days
包装の細部 :
元の工場は標準的なタイプが付いているパッキングを密封した:管、皿、テープおよび巻き枠の箱、袋のパッキング。またはあなたの必要性のための要求。
原産地 :
中国
連絡するサプライヤー
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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Active Member
3 年数
hong kong
ありがとうございました 2010
事業形態 :
Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-9990000
従業員数 :
20~100
認証レベル :
Active Member
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