Sep 15, 2024
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製品説明: Merrillchipの熱い販売ICの破片ICのドラム4GBITの平行の集積回路のフラッシュ・メモリEEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 I MT41K256M16TW-107 IT:P DDR3 SDRAMは高速操作を達成するのに二重データ転送速度の建築を使用する。二重データ転送速度の建築はである 入力/出力ピンで時計サイクルごとの2つのデータ単語を移すように設計されているインターフェイスとの8n先取りの建築。 単一の読書は単一の8nビット全体の4時計周期のデータ転送からまたは操作をDDR3 SDRAMのために書くために効果的に成っている 、1 -半分-時計周期のデータ転送入力/出力ピンで対応する内部ドラムの中心および8時nビット全体。 差動データ ストロボ（DQS、DQS#）は、DDR3 SDRAMの入力のデータ収集の使用のデータと共に、外的に送信されるもっと学ぶ
平行MerrillchipミクロンISSIサムスンICのドラム4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

平行MerrillchipミクロンISSIサムスンICのドラム4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P
MT41K256M16TW-107 IT:P
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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

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