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SMDの集積回路の電子工学SOT-23-3 2N7002K単一Nのチャネル
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仕様
型式番号 :
2N7002K
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000 PC
受渡し時間 :
1-7Work幾日
包装の細部 :
元
下水管源の抵抗 :
2 Ω
北極 :
N-CH
放蕩力 :
350 MW
境界の電圧 :
2.5 V
設置方法 :
表面の台紙
ピン ナンバー :
3
パッケージ :
SOT-23-3
記述

Bom標準的なサービス2N7002Kで新しく、元の集積回路の電子工学の製造者

プロダクト 記述:

小さい信号MOSFET 60 V、380 mAの単一のN-Channel、SOT -23 mA、N−Channel単一、小さい信号MOSFET 60 V、380 SOT−23

強化モードN-Channel MOSFETのフェアチャイルドの半導体

強化モード電界効果トランジスタ（FETs）はフェアチャイルドの特許を取られた高い細胞密度DMOSの技術を使用して作り出される。この高密度プロセスはオン州の抵抗を最小にするように設計され強く、信頼できる性能および速い切換えを提供する。

TRANS MOSFET N-CH 60V 0.3A 3 Pin SOT-23 T/R

MOSFETのトランジスター、Nチャネル、300 mA、60ボルト、2オーム、10ボルト、2.5ボルト

絶対最高評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。装置は作用しないかもしれないまたはこれらのレベルに推薦された作動条件および部品に重点を置くことの上で操作可能であることは推薦されない。付加では、推薦された作動条件の上の圧力への延長露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。Theabsoluteの最高の評価は圧力の評価だけである。通知がなければ価値はでTA = 25°Cある

科学技術変数:

下水管源の抵抗 2 Ω
下水管源の電圧（Vds） 60ボルト
連続的な下水管の流れ（ID） 0.38A
入れられたキャパシタンス（Ciss） 50pF @25V （Vds）
評価される力（最高） 350 MW
実用温度 55℃ | 150℃
包装 テープ及び巻き枠（TR）
最低のパッケージ 3000
製造の適用 低い側面の負荷スイッチ
RoHSの標準 迎合的なRoHS

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SMDの集積回路の電子工学SOT-23-3 2N7002K単一Nのチャネル

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製品詳細
型式番号 :
2N7002K
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000 PC
受渡し時間 :
1-7Work幾日
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元
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2000
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
主な製品 :
, ,
従業員数 :
50~100
認証レベル :
Verified Supplier
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