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BSS123 SA SOT23電子IC 3つのPinの表面の台紙の取付けを欠く
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仕様
型式番号 :
BSS123
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000 PC
受渡し時間 :
1-7Work幾日
包装の細部 :
元
原産地 :
中国
下水管源の抵抗 :
1.2 Ω
放蕩力 :
360 MW
境界の電圧 :
1.7 V
設置方法 :
表面の台紙
ピン ナンバー :
3
パッケージ :
SOT-23-3
パッキング :
テープ及び巻き枠（TR）
記述

新しい元のBss123 Sa Sot23集積回路ICの破片

 

プロダクト 記述:

 

互換性があるSAの速い切換え/論理のレベルを示すBSS123 N-Channel MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59

最高の源下水管の電圧Vdsの下水管源の電圧|100V---|---最高のゲート源の電圧Vgs （±）のゲート源の電圧|100V最高の下水管現在のIDは現在を流出させる|170mA/0.17A源下水管オンresistanceΩRds DΩ /Ohmain-SouΩ/Ohmceのオン州Ω/Ohmesistance|3.4Ω/Ohm @1.7Aの10V Turn-on電圧Vgs （Th）のゲート源の境界の電圧|0.8-1.2V Pdの電力損失|360mW/0.36W記述及び適用|N-Channelの論理のレベルの強化モード電界効果トランジスタBSS100:0.22A、100V。RDS （） = 6W @ VGS = 10V。BSS123:0.17A、100V。RDS （） = 6W @ VGS = 10V極端に低いRDSの（）電圧管理された小さい信号スイッチのための高密度細胞の設計。険しく、信頼できる。記述及び適用|N-Channelの論理のレベルの強化モード電界効果トランジスタBSS100:0.22A、100V。RDS （） = 6W@VGS =10V。BSS123:0.17A、100V。RDS （で） =6W@ VGS= 10Vの高密度電池は極端に低いRDSの（）電圧と小さい信号スイッチを制御するように設計されている。

 

科学技術変数:

 

入れられたキャパシタンス（Ciss） 73pF @25V （Vds）
下水管源の抵抗 1.2 Ω
放蕩力 360 MW
境界の電圧 1.7 V
下水管源の電圧（Vds） 100ボルト
設置方法 表面の台紙
ピン ナンバー 3
パッケージ SOT-23-3
実用温度 -55℃ | 150℃
パッキング テープ及び巻き枠（TR）

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製品詳細
型式番号 :
BSS123
MOQ :
discussible
支払の言葉 :
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :
1ヶ月あたりの10000 PC
受渡し時間 :
1-7Work幾日
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元
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2000
事業形態 :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
主な製品 :
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従業員数 :
50~100
認証レベル :
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