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SI7960DP-T1-E3
SI7960DP-T1-E3
仕様
部品番号 :
SI7960DP-T1-E3
製造者 :
Vishay/Siliconix
記述 :
SI7960DP-T1-E3 データシート pdf と トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイ Vishay/Siliconix の商品詳細はテンションで入手できます
ライフサイクル :
このメーカーからの新品
データシート :
試験結果が示された場合
配達 :
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い :
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報 :
SI7960DP-T1-E3 詳細情報
ECAD :
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD) :
0ドルだ00
コメント :
製造者:ヴィシャイ/シリコニックス テンションは ディストリビューターだ 幅広い用途
マウント :
表面マウント
高さ :
1.04mm
体重 :
506.605978mg
上昇時間 :
12ns
抵抗力 :
21 mΩ
ピン数 :
8
限界電圧 :
3V
エレメント数 :
2
Turn-off遅れ時間 :
60 ns
最大電力の分散 :
1.4W
動作温度を最小限 :
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート :
20V
流出電圧から源電圧 (Vdss) :
60V
製品カテゴリー :
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
Qty :
513 ストック
申請 :
航空宇宙・防衛 試験と測定 ホームシアター&エンターテインメント
幅 :
5.89mm
長さ :
4.9 mm
秋の時間 :
12ns
Rds オン マックス :
21 mΩ
ケース/パッケージ :
SOIC
権力 の 消耗 :
1.4W
チャンネル数 :
2
Turn-on遅れ時間 :
12ns
要素構成 :
双重
最大動作温度 :
150 °C
源の抵抗に流出させなさい :
21 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID） :
6.2 A
記述
SI7960DP-T1-E3概要\\nSI7960DP-T1-E3は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.参考にSI7960DP-T1-E3の高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. SI7960DP-T1-E3は,航空宇宙・防衛,テスト・測定,ホームシアター・エンターテインメントに広く使用されています.テンションおよび他の流通業者. SI7960DP-T1-E3は,多くの方法で購入することができます. あなたはこのウェブサイトで直接注文することができます, または電話またはメールで私たちにすることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますSI7960DP-T1-E3の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持ってファンの SI7960DP-T1-E3を注文することができます. 配送については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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試験結果が示された場合
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AI CHIPLINK LIMITED

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2 年数
hong kong
ありがとうございました 2017
主な製品 :
, ,
年間総額 :
30 million-40 million
従業員数 :
100~150
認証レベル :
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