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99%のアルミナの陶磁器の部品は薄膜回路の半導体を欠く
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仕様
型式番号 :
HY-TCJP
原産地 :
中国宜興市
MOQ :
10部分
支払の言葉 :
L/C、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
1週あたりの10000 PC
受渡し時間 :
20-30仕事日
包装の細部 :
木製ケース
Al2o3 :
≥ 99%
製品名 :
アルミナの製陶術の基本的な破片
色 :
白い
密度 :
3.85g/cmの³
最高の使用温度 :
1500℃
形 :
正方形
記述

アルミナの陶磁器の基本的な破片の薄膜回路半導体統合された回路はランプを導いた

 

アルミナの陶磁器の基本的な破片

製品名:アルミナの陶磁器の基本的な破片

製品の説明:

基質材料として、アルミナの陶磁器の基質はRFおよびマイクロウェーブ電子産業で広く利用されている。その高い比誘電率は小型化される回路を作ることができる。その熱安定性はよい、温度の漂流は小さい、基質の強さおよび化学安定性は高く、性能は他のほとんどの酸化物材料よりよい。それはさまざまなタイプの厚いフィルム回路、薄膜回路、雑種回路、マイクロウェーブ モジュール モジュールに適用することができる等のアルミナの陶磁器の基質は薄膜の石版印刷プロセスに基づいて処理し正確さはミクロンのレベルに達することができる。多くの受動装置はアルミナの陶磁器の基質に基づいて設計することができる。比誘電率が一般的なPCBの基質のそれより高いので、さまざまな構成モジュールの小型化の開発傾向で非常に重要な利点がある設計されていた装置のサイズは小さい。アルミナの陶磁器の基質はマイクロウェーブ無線周波数の開発の重要な役割を担う。

 

アルミナの陶磁器の基質の回路塗布
1つの薄膜のマイクロストリップ回路
2薄膜フィルター
3薄膜の負荷
4薄膜の平衡装置
5薄膜力ディバイダー
6薄膜の減衰器
7薄膜のカプラー
8薄膜橋
9薄膜の抵抗
10薄膜コンデンサー

 

プロダクト索引:

陶磁器の独特のテーブル
  名前 99% AL2O3 95% AL2O3
物理的なpropertyessential部品 必要な部品 AL2O3≥99% AL2O3≥95%
密度（g/cm3） 3.85 3.6
水absorption% 0 0
焼結の温度 1690 1670
物質的な特性 硬度（HV） 1700 1600
強さを打ち切りなさい >6500 >2900
耐圧強度 30000 25000
熱応答 最高サービス テンペラのture 1500 1400
熱拡張係数 8 7.8
10-6/℃
0-1000℃
熱衝撃抵抗T （℃） 200 220
熱伝導性W/m.k 31 22
電気指定 容積抵抗Ω.cm >1012 >1012
絶縁材の有害な力KT/m 18 16
比誘電率1MHZ （E） 9.2-10.5 9.0-10

 

プロダクト工程のステップ:

1熱いグラウトを詰める形成装置     2乾燥した粉の鋳造物出版物          装置を形作る3自動乾燥した粉

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4 5つのプロダクト発砲を始動させる高温炉の研修会                   6つの演算処理装置

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7processing単位                  8つの演算処理装置                 9つのプロダクト提示

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製品詳細
型式番号 :
HY-TCJP
原産地 :
中国宜興市
MOQ :
10部分
支払の言葉 :
L/C、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :
1週あたりの10000 PC
受渡し時間 :
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yixing haiyu refractory co.,ltd

Active Member
3 年数
ありがとうございました 2005
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
年間総額 :
300 million-500 million
従業員数 :
50~100
認証レベル :
Active Member
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