仕様
型式番号 :
IRF1407
原産地 :
広東省、中国
包装の細部 :
標準的なカートン
最低注文量 :
1
タイプ :
MOSFET
パッケージのタイプ :
穴中
適用 :
電源
実用温度 :
-45から+125
パッケージ/場合 :
TO-220AB
FETのタイプ :
Nチャネル
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :
75V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C :
130.0 A
(最高) @ ID、VgsのRds :
7.8のmOhms
Vgs ((最高) Th) @ ID :
3.0 V 2.0 V 4.0 V
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs :
160.0 NC
ストック :
ストック
記述

IRF1407 75V シングルNチャネルHEXFET パワーMOSFET TO-220ABパッケージ

 

特徴:

  • 広いSOA用の平面細胞構造
  • 配送パートナーから最も広く利用できるように最適化
  • JEDEC 規格による製品資格
  • シリコンは100kHz未満のスイッチングアプリケーションに最適化されている.
  • 業界標準の透孔電源パッケージ
  • 高電流の持ち運び能力のパッケージ (最大195A,ダイサイズに依存する)
  • 波溶接可能

 

パラメーター

IRF1407

ID (@25°C) 最大

130.0 A

マウント

THT

Ptot 最大

330.0W

パッケージ

TO-220

極性

N

QG (通常10V)

160.0 nC

Qgd

54.0 nC

RDS (オン) (@10V) 最大

70.8mOhms

RthJC最大

0.45K/W

Tj 最大

175.0 °C

VDS 最大

75.0V

VGS (th) 最小最大

3.0V 2.0V 4.0V

VGS 最大

20.0V

 

 

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IRF1407 75V シングルNチャネルHEXFET電源MOSFET TO-220ABパッケージの電源ユニット交換チップ

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IRF1407 75V シングルNチャネルHEXFET電源MOSFET TO-220ABパッケージの電源ユニット交換チップ
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Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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