仕様
モデル番号 :
IRFP4668PBF
産地 :
中国
ブランド :
INFINEON
部品番号 :
IRFP4668PBF
タイプ :
MOSFET
FETのタイプ :
N-Channel
流出電源電圧 (Vdss) :
200V
連続的な下水管の流れ(ID) :
130A
ストック :
ストック
最低注文量 :
1
記述

インフィニオン IRFP4668PBF Nチャネル MOSFET - 高性能・効率性

インフィニオン IRFP4668PBFは,さまざまなアプリケーションで優れたパフォーマンスと効率を提供するために設計された高性能NチャネルMOSFETです.これはHEXFET®シリーズに属し,回路設計で単一のFETとして使用するのに適しています.このMOSFETは200Vの流出電圧 (Vdss) を有し,高電圧レベルに対応し,要求の高いアプリケーションに適しています.25°Cで連続流出電流 (Id) 130A (ケース温度を基準とする)強力なパワー処理能力を可能にします

 

IRFP4668PBF インフィニオンのNチャネルMOSFET - 頑丈で高性能トランジスタ

IRFP4668PBF MOSFETは,流出電流 (Id) 81A,ゲートソース電圧 (Vgs) 10Vで9.7mOhmの低オン抵抗 (Rds On) を備えています.この低電源抵抗は,電力の損失を最小限に抑え,全体のシステム効率を向上させるこのMOSFETは,250μAのIdで5Vのゲート・ソーススロープ電圧 (Vgs(th)) で動作し,最適な性能のために最大10Vの駆動電圧を必要とします.最大ゲート・ソース電圧 (Vgs) は ±30VIRFP4668PBF MOSFETは,ゲートソース電圧 (Vgs) 10V でゲート電荷 (Qg) が 241nC である.このパラメータは,効率的にMOSFETをオンとオフに切り替えるのに必要な充電量を示します..

 

このMOSFETは,出力電圧 (Vds) の50Vで,入力電容量 (Ciss) が10,720pFで,駆動回路に適した容量負荷を提供します.-55°Cから175°C (TJ) の広い温度範囲で動作するIRFP4668PBFは,様々な環境条件に耐える.そのTO-247-3パッケージは,安全で信頼性の高い接続を保証する,穴を介してマウントすることができます.インフィニオン IRFP4668PBF NチャネルMOSFETは活性剤です520W (Tc) の高電力消耗により,実質的な電力レベルを効果的に処理することができます.

技術的な特徴:

特徴 仕様
製造者 インフィニオン
カテゴリー 離散半導体製品
トランジスタタイプ FET,MOSFET
シリーズ HEXFET
パッケージ トューブ
製品の状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
テクノロジー MOSFET (金属酸化物)
流出電源電圧 (Vdss) 200V
連続流出電流 (Id) @ 25°C 130A (Tc)
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id 5V @ 250μA
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs 241 nC @ 10V
Vgs (最大) ±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 10720 pF @ 50V
FET 特徴 -
電力消耗 (最大) 520W (Tc)
動作温度 -55°C~175°C (TJ)
マウントタイプ 穴を抜ける
パッケージ/ケース TO-247-3
基本製品番号 IRFP4668
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IRFP4668PBF NチャネルMOSFETIC 200V 130A 520W 電子ICチップ

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IRFP4668PBF NチャネルMOSFETIC 200V 130A 520W 電子ICチップ

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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