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MOSFET TPHR8504の電源ICの破片、40ボルトNチャネルPSU TPHR8504PL
MOSFET TPHR8504の電源ICの破片、40ボルトNチャネルPSU TPHR8504PL
仕様
型式番号 :
TPHR8504PL
原産地 :
広東省、中国
包装の細部 :
標準的なカートン
最低注文量 :
1
タイプ :
MOSFET
パッケージのタイプ :
表面の台紙
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :
40V
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce :
150A
パワー最高 :
170W
実用温度 :
-55に+175 C
パッケージ/場合 :
SOP-8
（最高） @ ID、VgsのRds :
850のuOhms
Vgs （（最高） Th） @ ID :
1.4 V
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :
103 NC
ストック :
ストック
記述

Bitmain PSU MOSFET TPHR8504PL 40VのN-Channel FETとのあなたのDC-DCのコンバーターの性能を後押ししなさい

広い応用範囲のための高性能MOSFETの理想を発見しなさい

 

Bitmain PSU MOSFET TPHR8504PL 40VのN-Channel FETとのあなたのDC-DCのコンバーターの性能を改善しなさい。最も最近の技術のこのケイ素のN-channel MOSFETはそれにさまざまな適用のための大きい選択をする高速転換の機能を保障する。それは小さいゲート充満および低い漏出流れを特色にし効率的かつ確実に作動するようにそれがする。多様な環境の例外的な性能を保証する- 55°Cに175°C （TJ）の広い温度較差の内で完全に働くためにこのMOSFETを信頼できる。あなたのを今得、あなたのDC-DCのコンバーターの出力の改善を経験しなさい。

 

 

製品カテゴリ

MOSFET

技術

Si

様式の取付け

SMD/SMT

パッケージ/場合

SOP-8

トランジスター極性

N-Channel

チャネルの数

1つのチャネル

Vds -下水管源の絶縁破壊電圧

40ボルト

ID -連続的な下水管の流れ

150 A

Rdsのオン下水管源の抵抗

850のuOhms

Vgs -ゲート源の電圧

- 20ボルト、+ 20ボルト

VgsのTh -ゲート源の境界の電圧

1.4 V

Qg -ゲート充満

103 NC

最低の実用温度

- 55 C

最高使用可能温度

+ 175 C

Pd -電力損失

170 W

チャネル モード

強化

構成

単一

高さ

0.95 mm

長さ

5つのmm

シリーズ

U-MOSIX-H

トランジスター タイプ

1つのN-Channel

幅

5つのmm

落下時間

14 ns

製品タイプ

MOSFET

上昇時間

13 ns

典型的なTurn-Off遅れ時間

63 ns

典型的なTurn-On遅れ時間

26 ns

単位重量

0.002926 oz

 

 

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MOSFET TPHR8504の電源ICの破片、40ボルトNチャネルPSU TPHR8504PL

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製品詳細
型式番号 :
TPHR8504PL
原産地 :
広東省、中国
包装の細部 :
標準的なカートン
最低注文量 :
1
タイプ :
MOSFET
パッケージのタイプ :
表面の台紙
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MOSFET TPHR8504の電源ICの破片、40ボルトNチャネルPSU TPHR8504PL

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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3 年数
shenzhen
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事業形態 :
Manufacturer, Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
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従業員数 :
25~30
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