仕様
型式番号 :
DMP34M4SPS-13
原産地 :
広東省、中国
包装の細部 :
標準的なカートン
最低注文量 :
1
タイプ :
MOSFET
パッケージのタイプ :
表面の台紙
適用 :
一般目的
実用温度 :
-55°C 150°C (TJ)
パッケージ/場合 :
8-PowerTDFN
FETのタイプ :
P-Channel
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :
30V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C :
135A (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds :
3.8mOhm @ 20A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID :
2.6V @ 250uA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs :
127nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds :
3775pF @ 15V
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) :
5V、10V
Vgs (最高) :
±25V
ストック :
ストック
記述

DMP34M4SPS TPCA8128 MOSFETのP-Channel 30V 34A 8SOPとのあなたの装置の性能を後押ししなさい

最上質DMP34M4SPS-13のあなたのノートの電池および負荷切換えを最大限に活用しなさい

 

あなたのラップトップの性能を後押しし、電池の寿命を改善するために見ればDMP34M4SPS MOSFETを必要とする。、30V良質材料と設計されていての21A容量のこのP-Channel MOSFETはあなたの装置のための根本的な解決法である。例外的な転換の性能および最高の効率を提供するために最小にされたRDSを使うとそれを使用する度に()、このDMP34M4SPS MOSFETは保証する。あなたのノートの電池またはスイッチ負荷を管理する必要があるかどうかこのトップ層装置は仕事を容易に終らせる。DMP34M4SPS-13を選択し、あなたのラップトップの仕事をよりスマート、困難にしなさい。

 

 

製品カテゴリ

MOSFET

技術

Si

様式の取付け

SMD/SMT

パッケージ/場合

PowerDI5060-8

トランジスター極性

P-Channel

チャネルの数

1つのチャネル

Vds -下水管源の絶縁破壊電圧

30ボルト

ID -連続的な下水管の流れ

135 A

Rdsのオン下水管源の抵抗

2.9のmOhms

Vgs -ゲート源の電圧

25ボルト

VgsのTh -ゲート源の境界の電圧

2.6 V

Qg -ゲート充満

127 NC

最低の実用温度

- 55 C

最高使用可能温度

+ 150 C

Pd -電力損失

3 W

チャネル モード

強化

構成

単一

トランジスター タイプ

1つのP-Channel

落下時間

160 ns

製品タイプ

MOSFET

上昇時間

4 ns

典型的なTurn-Off遅れ時間

372 ns

典型的なTurn-On遅れ時間

6.9 ns

 

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表面の台紙135A PチャネルMOSFET IC、BVDSS 25V-30V DMP34M4SPS-13

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表面の台紙135A PチャネルMOSFET IC、BVDSS 25V-30V DMP34M4SPS-13
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Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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