仕様
型式番号 :
STWA48N60DM2
原産地 :
広東省、中国
包装の細部 :
標準的なカートン
供給の能力 :
1000の部分/部分每の 週
最低注文量 :
1
タイプ :
MOSFET
D/C :
新しい
パッケージのタイプ :
穴を通して
適用 :
一般目的
ブランド :
MOSFET
パワー最高 :
300W
実用温度 :
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け :
穴を通して
パッケージ/場合 :
TO-247-3
FETのタイプ :
N-Channel
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :
600V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C :
40A (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds :
79mOhm @ 20A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID :
5V @ 250uA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs :
70nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds :
3250pF @ 100V
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) :
10V
Vgs (最高) :
±25V
ストック :
ストック
記述

要求のコンバーターのための高性能MOSFET

48N60DM2 -早く回復ボディ ダイオードが付いているN-channel 600V MOSFET

 

最もデマンドが高い高性能のコンバーターを扱うことができるMOSFETを捜すか。48N60DM2よりそれ以上に見てはいけない。低いRDSを使うと結合されて低い回復充満および時間が()、このMOSFETは橋地勢学およびZVSの偏移コンバーターにとって理想的である。優秀な性能に加えて、48N60DM2はまた極端に低いゲート充満および入力キャパシタンスを特色にする、また100%のなだれであることはテストした。

 

プラス、非常に高いdv/dtの険しさおよびZener保護はそれに信頼でき、安全な選択をする。48N60DM2 -高性能および信頼性のための完全な選択のあなたのコンバーターを改善しなさい。このテキストは製品の機能および利点に焦点を合わせることによって転換を最大限に活用するために意味される、読者の注意をつかむのに従事の言語を使用している間。プロダクトの利点の強調によって処置をとり、プロダクトを購入するために、顧客は本当らしい。

 

 

製品カテゴリ

MOSFET

技術

Si

様式の取付け

穴を通して

パッケージ/場合

TO-247-3

トランジスター極性

N-Channel

チャネルの数

1つのチャネル

Vds -下水管源の絶縁破壊電圧

600ボルト

ID -連続的な下水管の流れ

40 A

Rdsのオン下水管源の抵抗

65のmOhms

Vgs -ゲート源の電圧

- 25ボルト、+ 25ボルト

VgsのTh -ゲート源の境界の電圧

3ボルト

Qg -ゲート充満

70 NC

最低の実用温度

- 55 C

最高使用可能温度

+ 150 C

Pd -電力損失

300 W

チャネル モード

強化

包装

構成

単一

シリーズ

STWA48N60DM2

トランジスター タイプ

1つのN-Channel

落下時間

9.8 ns

製品タイプ

MOSFET

上昇時間

27 ns

下位範疇

MOSFETs

典型的なTurn-Off遅れ時間

131 ns

典型的なTurn-On遅れ時間

27 ns

単位重量

0.211644 oz

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48N60DM2 STWA48N60DM2 MOSFET PTDのPSUの電源のための高圧交換部品

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STWA48N60DM2
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広東省、中国
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最低注文量 :
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タイプ :
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48N60DM2 STWA48N60DM2 MOSFET PTDのPSUの電源のための高圧交換部品

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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