製品の説明
金属の有機性化学気相堆積(MOCVD)
金属の有機性化学気相堆積(不足分のためのMOCVD)は技術的な成長III-Vのグループの薄層の単結晶のための主要な方法及びII-VIのグループの混合物および合金である。蒸気を運ぶために水素または窒素のサービングを搬送ガスとして液体に導入しVグループの水素化合物と混合物を(NH3のPH3、AsH3のような)混合し、熱くする基質の表面で反応する反作用部屋に混合物を導入しそして混合の水晶フィルムを育てるために外的に伸ばしなさい。
LEDの輝いた中心は「エピタキシアル切れ」と呼ばれる複合材料である。エピタキシアル切れのMOCVDの技術の巧妙な適用が原因で、この種類の装置の使用量は急速に増加することができる。
操作の間のMOCVD装置の実用温度は2,000℃より高い、従ってタングステン モリブデンは装置の部分的な部品のための優先する材料である。
製品仕様書
化学条件
要素 | NI | Mg | Fe | Pb | Al | Bi | Si | CD | カリフォルニア | P |
集中(%) | 0.003 | 0.002 | 0.005 | 0.0001 | 0.002 | 0.0001 | 0.002 | 0.0001 | 0.002 | 0.001 |
要素 | C | O | N | Sb | Sn | Mo | ||||
集中(%) | 0.01 | 0.003 | 0.003 | 0.0005 | 0.0001 | バランス |
プロダクト細部
有機性化学気相堆積システム
特徴
電気の優秀な伝導性
高温の抵抗
高い融点、高い酸化および腐食抵抗。