仕様
型式番号 :
F3L75R12W1H3_B27
原産地 :
ドイツ
MOQ :
1pcs
支払の言葉 :
L/C、T/T
供給の能力 :
500 PCS+48hours
受渡し時間 :
48hours
包装の細部 :
Infineon :
F3L75R12W1H3_B27
構成 :
3-Phaseインバーター
Collector-emitterの最高の電圧VCEO :
1.2 kV
Collector-Emitterの飽和電圧 :
1.45 V
25Cの連続的なコレクター流れ :
45 A
ゲート エミッターの漏出流れ :
100 nA
Pd力の消滅 :
275 W
最低の働く温度 :
-40℃
最高の働く温度 :
+150℃
包装 :
24 PC
記述

 

F3L75R12W1H3_B27    SP001056132   Infineon  IGBTモジュールの容易低い電力

F3L75R12W1H3B27BOMA1

 

 

製造業者:Infineon
製品タイプ:IGBTモジュール
構成:3-Phaseインバーター
Collector-emitterの最高の電圧VCEO:1.2 kV
Collector-emitterの飽和電圧:1.45 V
25 Cの連続的なコレクター流れ:45 A
ゲート エミッターの漏出流れ:100 nA
Pd力の消滅:275 W
パッケージ/箱:EasyPack1B
最低の働く温度:- 40 C
最高の働く温度:+ 150 C
パッケージ:皿
ゲート/エミッターの最高の電圧:20ボルト
シリーズ:高速IGBT H3
パッキングの量:24 PCS
下位範疇:IGBTs
技術:Si

 

 

3段階IGBTインバーター モジュールの低い電力F3L75R12W1H3_B27 SP0010561323段階IGBTインバーター モジュールの低い電力F3L75R12W1H3_B27 SP001056132

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3段階IGBTインバーター モジュールの低い電力F3L75R12W1H3_B27 SP001056132

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型式番号 :
F3L75R12W1H3_B27
原産地 :
ドイツ
MOQ :
1pcs
支払の言葉 :
L/C、T/T
供給の能力 :
500 PCS+48hours
受渡し時間 :
48hours
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3段階IGBTインバーター モジュールの低い電力F3L75R12W1H3_B27 SP001056132

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3 年数
guangdong, shenzhen
ありがとうございました 2019
事業形態 :
ディストリビューター/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
20000000-30000000
従業員数 :
50~80
認証レベル :
Verified Supplier
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