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円形LaAlO3ウエファーの光学基質磨かれる高圧実験段階の倍の側面
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円形LaAlO3ウエファーの光学基質磨かれる高圧実験段階の倍の側面
仕様
型式番号 :
CR20200108-8
原産地 :
中国
MOQ :
1 羽
支払の言葉 :
T/T、ウェスタン ・ ユニオン、マネーグラム、ペイパル
供給の能力 :
1000pcs/month
受渡し時間 :
3-4 週間
包装の細部 :
箱パッケージ
オリエンテーション :
<100>
タイプ :
円形、正方形
直径 :
2"インチ、3"インチ、4"インチ
厚さ :
0.5mm、1mm
ポーランド語 :
磨かれる二重側面
表面の終わり :
< 10A="">
材料 :
Laalo3
形 :
ウエファー
記述

円形<100> LaAlO3のウエファーの光学基質の高圧実験段階

 

LaAlO3は高温超伝導の単結晶の基質である。それは高温超伝導の薄膜および巨大な磁気薄膜のエピタキシアル成長のためのよい基質材料である。その誘電性の特性は低損失のマイクロウェーブおよび誘電性共鳴適用のために適している。

LaAlO3の単結晶はペロプスカイトの構造を多くの材料によい格子マッチに与える。それは高いTcの超伝導体の、磁気およびferro-electric薄膜のエピタキシアル成長のための優秀な基質である。LaAlO3水晶の誘電性の特性は低損失のマイクロウェーブおよび誘電性共鳴適用のためによく適している。

 

適用:

 

電子デバイス、触媒作用、高温燃料電池、製陶術、汚水処理、基質材料

 

主な利点:

 

小さい比誘電率;低い誘電性損失;よい格子一致;小さい熱拡張係数;よい化学安定性;広いエネルギー ギャップ;大きい比表面積区域;ある特定の活動;よい熱安定性

 

主要な特性:

 

  典型的な物理的性質
結晶構造 立方a=3.79オングストローム
成長方法 Czochralski
密度 6.52 g/cm3
溶解ポイント 2080年のoc
熱拡張 10 （x10-6/oc）
比誘電率 | 25
10のGHzの損失のタンジェント ~3x10-4 @ 300K、~0.6 x10-4 @77K
色および出現 ブラウンに対して透明焼きなましの条件に基づいていた。磨かれた基質の目に見える双生児
化学安定性 150 oc H3PO3 at>の25 ocおよびsolubleでミネラル酸で不溶解性
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円形LaAlO3ウエファーの光学基質磨かれる高圧実験段階の倍の側面

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製品詳細
型式番号 :
CR20200108-8
原産地 :
中国
MOQ :
1 羽
支払の言葉 :
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供給の能力 :
1000pcs/month
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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Verified Supplier
7 年数
ありがとうございました 2016
事業形態 :
Manufacturer, Exporter
主な製品 :
, ,
年間総額 :
5000,000-8000,000
従業員数 :
80~100
認証レベル :
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