Sep 15, 2024
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製品説明: 前偏りのある両極トランジスター（BJT） NPN -前偏りのある50のV 100 mA 250のMHz 150 MWの表面の台紙VESMもっと学ぶ
RN1114MFV、L3F

RN1114MFV、L3F
Discrete Semiconductor Products Transistors Bipolar (BJT) Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
100 mA
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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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