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MMUN2233LT1Gは前にNPNの両極トランジスター50V 100 MA 246mW SOT-23-3に偏った
MMUN2233LT1Gは前にNPNの両極トランジスター50V 100 MA 246mW SOT-23-3に偏った
仕様
型式番号 :
MMUN2233LT1G
原産地 :
米国
MOQ :
3000
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
50000
受渡し時間 :
5-8の仕事日
包装の細部 :
テープ
モデル :
MMUN2233LT1G
トランジスター タイプ :
前偏りのあるNPN -
現在-コレクター（（最高） IC） :
100 mA
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :
50ボルト
現在-コレクターの締切り（最高） :
500nA
パワー最高 :
246 MW
タイプの取付け :
表面の台紙
記述

MMUN2233LT1Gバイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50 V 100 mA 246 mW 表面マウント SOT-23-3 (TO-236)

MMUN2233LT1Gは前にNPNの両極トランジスター50V 100 MA 246mW SOT-23-3に偏った

 

カテゴリー
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
Mfr
一半
シリーズ
-
製品の状況
アクティブ
トランジスタタイプ
NPN - 偏見がある
電流 - コレクター (Ic) (最大)
100mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大)
50V
抵抗 - ベース (R1)
4.7kOhms
レジスタ - エミッターベース (R2)
47キロオム
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic
250mV @ 300μA, 10mA
電流 - コレクターの切断値 (最大)
500nA
パワー - マックス
246mW
マウントタイプ
表面マウント
パッケージ/ケース
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供給者のデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)

 

オリジナル

 

当社は,製品の各バッチがオリジナルの工場から来ていることを保証し,オリジナルのラベルとプロテスト機関レポートを提供することができます.

 

価格

 

交渉後,注文契約に署名します. 契約書には,

 

取引

 

連絡と合意後,支払いを手配します.

 

配達サイクル

 

同じ日に配達します. 通常は5~12日です. 流行期間中,少し遅れてしまうかもしれません. 私たちは全プロセスをフォローします.

 

交通機関

 

私たちは,あなたの国に合わせて適切な輸送手段を選択します.

 

パッケージ

 

お客様との連絡後,商品の安全な配送を保証するために,商品の重量に応じて適切なパッケージング方法を選択します.

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MMUN2233LT1Gは前にNPNの両極トランジスター50V 100 MA 246mW SOT-23-3に偏った

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製品詳細
型式番号 :
MMUN2233LT1G
原産地 :
米国
MOQ :
3000
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
50000
受渡し時間 :
5-8の仕事日
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MMUN2233LT1Gは前にNPNの両極トランジスター50V 100 MA 246mW SOT-23-3に偏った

Shenzhen Xinyuanpeng Technology Co., Ltd.

Site Member
3 年数
shenzhen
ありがとうございました 2014
事業形態 :
Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller
主な製品 :
, ,
年間総額 :
$100000-$ 1000000
従業員数 :
5~20
認証レベル :
Site Member
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