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伝導は単一808nm半導体レーザー棒プロダクト80Wを冷却した
伝導は単一808nm半導体レーザー棒プロダクト80Wを冷却した
仕様
型式番号 :
M10N-808.3-60C-1、M10N-808.3-80C-1、M10N-880.3- 60C-1、M10N-980.3-80C-1
原産地 :
中国
MOQ :
1つの部分/部分
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
100,000/Year
受渡し時間 :
4-8weeks
製品名 :
伝導によって冷却される単一棒プロダクト
力 :
80W
波長 :
808nm
主な特長 :
低い微笑、任意BTSの冷却される伝導
タイプ :
棒によって積み重ねられるダイオード レーザー
適用 :
科学研究
記述

伝導によって冷却される単一棒プロダクト

特徴:

  • 低い微笑
  • 任意BTS
  • 冷却される伝導

適用:

           
  • 科学研究
 
 

指定（25℃）

 

単位

 

M10N-808.3-60C-1

M10N-808.3-80C-1

M10N-880.3-

60C-1

 M10N-980.3-80C-1
光学データ 出力電力W/bar 60 80 60 80
EmitterSize μm 150 200 150 100
FillFactor % 30 40 30 20
中心の波長 nm 808±3 808±3 880±3 980±3
分光幅（FWHM） nm 3 4 4 4
速い軸線の発散（95%力） 犬 -65 -65 -51 -51
FAC （90%力）の遅い軸線の発散 犬 -9 -9 -9 -9
分極モード - TE TE TE TE
波長Temp.coeffcient nm/℃ -0.28 -0.28 -0.28 -0.28
電気データ EOConversionの効率 % ≧50 ≧50 ≧50 ≧50
境界の流れ 30 19 14 3
動作電流 65 85 65 85
作動の電圧 V ≦2 ≦2 ≦2 ≦2
斜面の効率 W/A ≧1 ≧1 ≧1 ≧1
熱データ 作動のTemparatuare ℃ 20-30 20-30 20-30 20-30
保管温度 ℃ -20-55 -20-55 -20-55 -20-55
推薦された脱熱器容量 W ≧120 ≧160 ≧120 ≧160
部品番号。   M10Y-808.3-60C-1 M10Y-808.3-80C-1 M10Y-880.3-60C-1 M10Y-980.3-80C-1
  速い軸線の発散（95%力）   <0> <0> <0> <0>
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製品詳細
型式番号 :
M10N-808.3-60C-1、M10N-808.3-80C-1、M10N-880.3- 60C-1、M10N-980.3-80C-1
原産地 :
中国
MOQ :
1つの部分/部分
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
100,000/Year
受渡し時間 :
4-8weeks
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伝導は単一808nm半導体レーザー棒プロダクト80Wを冷却した

BWT Beijing Ltd.

Verified Supplier
17 年数
beijing, beijing
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
認証レベル :
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