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材料加工のための 915nm 30W の高い発電ポンプ半導体レーザー
材料加工のための 915nm 30W の高い発電ポンプ半導体レーザー
仕様
原産地 :
中国
ブランド :
BWT
証明 :
ISO9001
型式番号 :
K915FA3RN-30.00W
MOQ :
1 /関連キーワード
受渡し時間 :
4 8weeks
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
100,000/Year
出力電力 :
30W
波長 :
915nm
ファイバー・バンドルの直径 :
105µm
開口数 :
0.22N.A
適用 :
レーザーの医学的用途、材料加工ポンプ
記述

       特徴:

   915nm波長

   出力電力30W

   105µm繊維の棒径

   0.22N.A. 

   1040nm-1200nmフィードバックの保護 
適用:

   レーザー ポンプ 

   医学的用途

   材料加工  

 

 

指定（25℃）

 

記号

 

単位

 

 K915FA3RN-30.00W
最低 典型的 最高
光学データ CW出力力 Po W 30 - -
中心の波長 λc nm 915±10
分光幅（FWHM） △λ nm - 6 -
温度の波長の転位 △λ/△T nm/℃ - 0.3 -
流れが付いている波長の転位 △λ/△A nm/A - 1 -
電気データ 電気に光学効率 PE %   48 -
境界の流れ lth A - 0.9 -
動作電流 取り除いて下さい A - 12 13
操作電圧 Vop V - 4.8 6
斜面の効率 η W/A - 2.7 -

繊維データ

 

 棒径 Dcore μm - 105 -
クラッディングの直径 Dclad μm - 125 -
緩衝直径 Dbuf μm - 245 -
数字開き NA NA - 0.22 -
繊維の長さ Lf m - 1 -
繊維の緩い管の直径 - μm 0.9mmポリ塩化ビニール1.5cm
最低の曲げ半径 - mm 50 - -
繊維の終了 - - - どれも -
フィードバックの分離 背部反射の波長 λ nm 1040-1200
背部反射の分離 - dB - 30 -
他 ESD Vesd V - - 500
保管温度 Tst ℃ -20 - 70
鉛のはんだ付けする臨時雇用者 Tls ℃ - - 260
鉛のはんだ付けする時間 t 秒 - - 10
作動の場合温度 上 ℃ 15 - 35
相対湿度 RH % 15 - 75
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材料加工のための 915nm 30W の高い発電ポンプ半導体レーザー

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製品詳細
原産地 :
中国
ブランド :
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証明 :
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型式番号 :
K915FA3RN-30.00W
MOQ :
1 /関連キーワード
受渡し時間 :
4 8weeks
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材料加工のための 915nm 30W の高い発電ポンプ半導体レーザー

BWT Beijing Ltd.

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17 年数
beijing, beijing
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
認証レベル :
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