Jun 17, 2025
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製品説明: JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。   概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者であるP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 N-channelを運転するのに使用すもっと学ぶ
450mA 850mA 3.3Vの論理の多用性があるBldcの高い側面NチャネルMosfetスイッチ運転者

450mA 850mA 3.3Vの論理の多用性があるBldcの高い側面NチャネルMosfetスイッチ運転者
JY21L
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Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd

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