仕様
型式番号 :
JY16M
MOQ :
1セット
包装の細部 :
PE BAG+のカートン
原産地 :
中国
受渡し時間 :
5-10日
支払の言葉 :
T/T、L/C、Paypal
供給の能力 :
1000sets/day
下水管源の電圧 :
600ボルト
ゲート源の電圧 :
±30V
最高の電力損失 :
33W
脈打った下水管の流れ :
16A
適用 :
つくこと
形 :
正方形
記述

JY16M Nチャネル600V TO220F-3のパッケージ
BLDCモーター運転者のための強化モード力MOSFET

概説
JY16Mは高い細胞を達成するのに最も最近の堀の加工の技巧を利用する
密度は高く反復的ななだれの評価のオン抵抗を減らし。これら
特徴はこの設計に非常に有効な、信頼できる装置をのためのするために結合する
力の切換えの適用および他のいろいろ適用の使用。


特徴
600V/4A、RDS () =2.6Ω@VGS=10V
●速い切換えおよび逆ボディ回復
●よい熱放散のための優秀なパッケージ


適用
照明
●高性能スイッチ モード電源
 

絶対最高評価(通知がなければTc=25ºC)

記号 変数 評価 単位
VDS 下水管源の電圧 600 V
VGS ゲート源の電圧 ± 30 V
ID 連続的な下水管
現在
Tc=25ºC 4
Tc=100ºC 2.9
IDM 脈打った下水管の流れ 16
PD 最高の電力損失 33 W
TJ TSTG 作動の接続点および保管温度
範囲
-55から+150 ºC
RθJC 包装するべき熱抵抗接続点 1.5 ºC/W
RθJA 包囲されたへの熱抵抗接続点 62


電気特徴(通知がなければTc=25ºC)

記号 変数 条件 タイプ 最高 単位
静特性
BVDSS 下水管源
絶縁破壊電圧
VGS =0V、IDS =250UA 600 V
IDSS ゼロ ゲートの電圧
現在を流出させなさい
VDS =600V、VGS =0V 1 uA
IGSS ゲート ボディ漏出
現在
VGSの=± 30V、VDS =0V ± 100 nA
VGS (Th) ゲートの境界
電圧
VDS = VGSIDS =250UA 2.0 3.0 4.0 V
RDS () 下水管源
オン州の抵抗
VGS =10V、IDS =4A 2.6 2.8 Ω


電気特徴(通知がなければTc=25ºC)

記号 変数 条件 タイプ 最高 単位
下水管源のダイオード特徴
VSD 前方ダイオード
電圧
VGS =0V、ISD =2A 1.5 V
Trr 逆の回復時間 ISD =4A
di/dt=100A/us
260 ns
Qrr 逆の回復充満 1.5 NC
動特性
RG ゲートの抵抗 VGS =0V、VDS =0V、
f=1MHZ
5 Ω
Td () Turn-on遅れ時間 VDS =300V、
RG =25Ω、
IDS =4A、VGS =10V、
15 ns
Tr Turn-on上昇時間 48
Td () Turn-off遅れ時間 28
Tf Turn-off落下時間 35
CISS 入れられたキャパシタンス VGS =0V、
VDS =25V、
f=1.0MHz
528 pF
COSS 出力キャパシタンス 72
CRSS 逆の移動
キャパシタンス
9
Qg 総ゲート充満 VDS =480V、ID =4A、
VGS =10V
16 NC
Qgs ゲート源充満 3.5
Qgd ゲート下水管充満 7.1


 

 

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Manufacturer, Trading Company
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80~120
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